联合微电子中心有限责任公司罗雪获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211535436.1，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法是由罗雪;司静;马恒;宁宁;龚夕淮设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法，包括以下步骤：提供一包括栅介质层、底部阻挡层以及栅极侧墙的半导体层，底部阻挡层位于栅介质层上围成一顶部开口的收容空间，收容空间的底壁及侧壁形成拐角；形成P型功函数金属侧墙于拐角处；形成覆盖P型功函数金属侧墙的P型功函数层于收容空间的底壁及侧壁；依次形成N型功函数层、顶部阻挡层以及金属层于收容空间内，N型功函数层覆盖P型功函数层且与金属层之间由顶部阻挡层间隔。该方法可以有效改善N型功函数层中的铝扩散效应，提高了器件的性能稳定性、产品良率以及可靠性评估。本发明还提供一种具有高K金属栅结构的半导体器件，该器件具有较好的性能稳定性和可靠性。
本发明授权一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高K金属栅结构的半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，所述半导体层包括栅介质层、底部阻挡层以及栅极侧墙，所述底部阻挡层位于所述栅介质层上，所述栅极侧墙位于所述栅介质层及所述底部阻挡层的两侧，所述底部阻挡层围成一顶部开口的收容空间，所述收容空间的底壁及侧壁形成拐角； 形成P型功函数金属侧墙于所述拐角处； 形成覆盖所述P型功函数金属侧墙的P型功函数层于所述收容空间的底壁及侧壁； 依次形成N型功函数层、顶部阻挡层以及金属层于所述收容空间内，所述N型功函数层覆盖所述P型功函数层，所述N型功函数层与所述金属层之间由所述顶部阻挡层间隔。
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