武汉华星光电技术有限公司李壮获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211419048.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示面板是由李壮设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种显示面板，该显示面板包括基板和有源层，有源层包括沟道部和掺杂部，掺杂部设置于沟道部的沿第一方向的相对两侧，沟道部划分为中间区域和位于中间区域的沿第二方向的相对两侧的边缘区域，通过使沟道部在边缘区域的掺杂浓度大于中间区域的掺杂浓度，可以减小薄膜晶体管在边缘区域与中间区域的阈值电压的差异，避免在边缘区域处的寄生沟道提前开启，从而可以改善驼峰效应。
本发明授权显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基板； 有源层，设置于所述基板上，所述有源层包括沟道部和掺杂部，所述掺杂部设置于所述沟道部的沿第一方向的相对两侧； 其中，所述沟道部划分为中间区域和位于所述中间区域的沿第二方向的相对两侧的边缘区域，所述沟道部在所述边缘区域的掺杂浓度大于所述中间区域的掺杂浓度，所述第一方向与所述第二方向相交；所述掺杂部中掺杂有第二离子，所述掺杂部包括重掺杂部和轻掺杂部，所述轻掺杂部设置于所述重掺杂部与所述沟道部之间，所述轻掺杂部包括第一轻掺杂部和第二轻掺杂部，所述第二轻掺杂部设置于所述第一轻掺杂部与所述沟道部之间，所述重掺杂部中的所述第二离子的掺杂浓度大于所述第一轻掺杂部中的所述第二离子的掺杂浓度，所述第一轻掺杂部中的所述第二离子的掺杂浓度大于所述第二轻掺杂部中的所述第二离子的掺杂浓度； 所述有源层包括第一表面、第二表面、以及分别与所述第一表面和所述第二表面连接且倾斜设置的侧壁，所述第二表面设置于所述第一表面的背离所述基板的一侧，所述侧壁设置于所述边缘区域，所述侧壁与所述第二表面之间的夹角介于50度至80度之间；所述沟道部在边缘区域的总掺杂剂量为4×1012cm2，所述沟道部在所述中间区域的总掺杂剂量为2×1012cm2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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