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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于表面等离激元的硅基半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115864130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211429939.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权基于表面等离激元的硅基半导体激光器是由周旭亮;杨正霞;贾晓皓;刘孔;王智杰;潘教青设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于表面等离激元的硅基半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于光限制以及电子注入；有源层适用于载流子复合发光；上包层适用于光限制以及空穴注入；接触层位于上包层上。限制隔离层包括限制层和隔离填充层：限制层位于增益层的两侧或一侧，适用于产生等离子激元限制光场的区域；隔离填充层形成在增益层的两侧；电隔离层形成在限制隔离层上，且位于接触层的外围；上电极层形成在电隔离层上并与接触层电连接；下电极层位于衬底的未被限制隔离层覆盖的区域，能够将光限制在增益层侧边的限制层处，具有高限制、低损耗和高增益的效果。

本发明授权基于表面等离激元的硅基半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底1，所述衬底1的顶部设置有凹槽9； 增益层2，设置于所述衬底1上，并包括： 下包层21，设置于所述凹槽9内，并高于所述衬底1的上表面，适用于光限制以及电子注入； 有源层22，位于所述下包层21的顶部，适用于载流子复合发光； 上包层23，位于所述有源层22的顶部，适用于光限制以及空穴注入；以及 接触层24，位于所述上包层23的顶部； 限制隔离层3，形成在所述衬底1上，且位于所述增益层2的两侧，并包括： 限制层31，位于所述增益层2的两侧或一侧，适用于产生等离子激元限制光场的区域；以及 隔离填充层32，形成在所述增益层2的两侧，并对所述限制层31和所述增益层2电隔离； 电隔离层4，形成在所述限制隔离层3上，且位于所述接触层24的外围； 上电极层5，形成在所述电隔离层4的上，且所述上电极层5与所述接触层24电连接；以及 下电极层6，适用于与所述上电极层5协作以向所述增益层2注入电流，且位于所述衬底1的未被所述限制隔离层3覆盖的区域。

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