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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211211732.6，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板是由饶夙缔;李荣荣设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请涉及显示面板技术领域，本申请公开一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。包括在基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层及第一半导体层；其特征在于，制备方法还包括步骤：在第一半导体层上形成光刻胶层，通过掩模板对光刻胶层进行曝光、显影，形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包括第一胶层模块及第二胶层模块，依次形成第二半导体层及第二金属层，完全清除第一胶层模块，并保留部分厚度的第二胶层模块作为缓冲模块，以图案化第二半导体层及第二金属层，刻蚀图案化第一半导体层，形成第一沟道及第二沟道。与现有技术相比，减少刻蚀次数、简化处理工艺，提高刻蚀后面板特性的均匀性，有效提高面板的品质。

本发明授权阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，包括在基板10上依次形成栅极金属层20、栅极绝缘层30及第一半导体层40；其特征在于，所述制备方法还包括步骤： 在所述第一半导体层40上形成光刻胶层50； 通过掩模板100对所述光刻胶层50进行曝光、显影，在所述第一半导体层40上形成第一胶层模块51及第二胶层模块52，所述第一胶层模块51与第二胶层模块52之间具有与所述第一半导体层40接触的开孔53，所述第二胶层模块52的厚度大于所述第一胶层模块51的厚度； 依次形成第二半导体层60及第二金属层70； 完全清除第一胶层模块51，暴露所述第一胶层模块51对应的所述第一半导体层40，并保留部分厚度的所述第二胶层模块52作为缓冲模块54，以图案化所述第二半导体层60及所述第二金属层70； 刻蚀图案化所述第一半导体层40，形成与所述栅极绝缘层30接触的第一沟道80，同时清除所述缓冲模块54，在相邻所述开孔53对应的所述第二金属层70、所述第二半导体层60之间形成与所述第一半导体层40接触的第二沟道90。

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