上海传芯半导体有限公司董于虎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115327851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211077807.6，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法是由董于虎;季明华;黄早红设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，在基底上覆盖包覆层，并对包覆层的厚度进行调节，补偿弹性模量等物理参数的差异，进一步在包覆层的表面上覆盖旋涂碳层Spin‑onCarbon，SOC，使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数接近于0，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩摸版。
本发明授权EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种EUV级衬底的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底的表面上形成具有负热膨胀系数的包覆层，所述包覆层的材料包括主链含酰胺结构的聚酰亚胺； 在所述包覆层的顶面上旋涂碳材料，以形成顶面平坦的旋涂碳层，进而形成EUV级衬底，所述旋涂碳层的顶面达到表面缺陷尺寸低于10nm的平坦化程度； 其中，在形成所述包覆层的过程中或者形成所述包覆层之后，调节所述包覆层的厚度至相应厚度，以补偿所述包覆层与所述基底的弹性模量的差异，使得所述包覆层的顶面的热膨胀系数低于10-7oK。
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