珠海鑫泽瑞科技有限公司田灿鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海鑫泽瑞科技有限公司申请的专利一种等离子体抛光工件的方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115488699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211079241.0,技术领域涉及:B24B1/00;该发明授权一种等离子体抛光工件的方法及装置是由田灿鑫;吐沙姑·阿不都吾甫;付德春设计研发完成,并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体抛光工件的方法及装置在说明书摘要公布了:本发明涉及等离子抛光的技术领域,更具体地,涉及一种等离子体抛光工件的方法及装置,等离子体抛光工件的方法包括如下步骤:将待抛光工件置入抛光真空室内的工件架上,并将抛光真空室抽真空;向真空室内通入惰性气体至真空室内气压达到设定值;对待抛光工件进行等离子体加热;完成等离子体加热后,向真空室内通入含氟气体至真空室内气压达到设定值;打开离子源,对栅网通电,使待抛光工件浸没在等离子体中进行抛光;关闭离子源,同时栅网断电,即完成对工件的抛光;通过离子源、高频电场、电磁场和栅网的有效配合,实现等离子体的有效控制,实现浸没式抛光;本发明可以实现等离子体对工件保形,实现对复杂形状表面、平整表面的抛光。
本发明授权一种等离子体抛光工件的方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种等离子体抛光工件的方法,其特征在于,包括如下步骤: S1.将待抛光工件9置入抛光真空室1内的转架2上,并将抛光真空室1抽真空至抛光真空室1内的真空度达到设定值,真空室1的外顶部及外底部设有电磁线圈4; S2.向抛光真空室1内通入惰性气体至真空室内气压达到设定值P1; S3.转架2连接负偏压,激发等离子体,对待抛光工件9进行等离子体加热,加热时间为T1; S4.完成等离子体加热后,向抛光真空室1内通入含氟气体至抛光真空室1内气压达到设定值P2; S5.打开离子源3,对栅网7通电,栅网带正电压以弱化等离子体的方向性,使待抛光工件9浸没在等离子体中T2时间; S6.关闭离子源3,同时栅网7断电,待待抛光工件9冷却后,即完成对待抛光工件9的抛光; 所述步骤S3为:打开直流脉冲偏压电源,转架2与直流脉冲偏压电源电连接,对待抛光工件9进行等离子体加热,负电压范围30~100V,频率80~350KHz,占空比5~40%,加热时间为T1,所述T1为30~120min; 所述步骤S5为:打开离子源3,负偏压保持在400~1200V,频率80~350KHz,占空比5~10%;对栅网7通电,正电压为50~100V,使待抛光工件9浸没在等离子体中T2时间,同时使待抛光工件9以1~5rpm的转速进行旋转。
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