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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体器件测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211027914.8，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体器件测试结构及其测试方法是由刘倩倩;宋永梁;焦岚清设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件测试结构及其测试方法，该测试结构包括介质层及位于介质层中且间隔排布的多个金属层，金属层包括自下而上设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层及第四金属层，并在不同金属层之间布设导线和开关，将不同区域的金属层之间相关联。通过在同一测试结构的不同位置施加测试电压，测试不同金属层之间的介质层电学性质，判断不同金属层之间的介质层是否存在漏电，进而判断出半导体器件结构中的介质层是否存在漏电，能够有效提高测试结构的灵活性和效率，同时降低芯片版图的占用面积。

本发明授权一种半导体器件测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件测试结构，其特征在于，包括介质层及位于介质层中且间隔排布的多个金属层，多个所述金属层包括自下而上设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层及第四金属层，所述介质层被所述金属层分隔为夹设在自下而上相邻金属层之间的第一介质层、第二介质层及第三介质层； 所述介质层包括沿横向排布的三个分区，包括第一分区、第二分区及第三分区，位于不同分区的同一所述金属层通过所述介质层相互隔离，所述第二分区的相邻金属层之间通过金属柱电连接，所述第一分区的第二金属层与第三金属层之间通过所述金属柱电连接，所述第三分区的第一金属层与第二金属层、第三金属层与第四金属层分别通过所述金属柱电连接，所述第三分区的第二金属层与第三金属层之间通过第一导线连接；所述第三分区的第四金属层与所述第一分区的第三金属层之间通过第二导线连接，所述第一导线和第二导线上分别设有开关； 所述第一导线上设有第一开关，所述第二导线上设有第二开关和第三开关，所述第一开关、第二开关和第三开关包括具有单向导电性的二极管；所述第一开关的正极与所述第三分区的第二金属层连接，所述第二开关的正极与所述第三分区的第四金属层连接，所述第三开关的正极与所述第一分区的第三金属层连接，所述第二开关的负极与所述第三开关的负极相连； 半导体器件测试结构还包括第一测试端、第二测试端、第三测试端、第四测试端及第五测试端，所述第一测试端串联在所述第二开关与第三开关之间，分别与所述第二开关和第三开关的负极相连；所述第二测试端与所述第二分区的第四金属层相连；所述第三测试端串联在所述第二开关与所述第三分区的第四金属层之间；所述第四测试端与所述第三分区的第一金属层相连，所述第五测试端与所述第一分区的第三金属层相连；所述第一测试端、第二测试端、第三测试端、第四测试端和第五测试端共同显露在所述介质层的表面。

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