通富超威(苏州)微电子有限公司罗姜姜获国家专利权
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龙图腾网获悉通富超威(苏州)微电子有限公司申请的专利一种封装方法及使用其制成的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211004427.X，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种封装方法及使用其制成的封装结构是由罗姜姜;何志丹;焦洁;曾昭孔设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装方法及使用其制成的封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装方法及使用其制成的封装结构，该封装方法包括：在芯片的上表面设置有机可碳化基材，激光辐照该有机可碳化基材以发生碳化，在碳化过程中产生气体并逸出，形成具有孔隙且附着在芯片的上表面的多孔碳层，在多孔碳层的远离其自身边缘的位置区域上开设至少一个上下贯通的镂空区域，将热界面材料设置于多孔碳层上，预热处理，使热界面材料能够流动以部分渗透至孔隙和或镂空区域中，形成热界面材料与多孔碳层的组合体，将散热盖部分贴装在组合体上；以及上述方法制成的封装结构，该方法能够避免现有热界面材料贴装在芯片上可能存在的强度较低易发生界面分层、导热性不佳、熔融时易发生飞溅从而导致被动元件短路等问题。
本发明授权一种封装方法及使用其制成的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，该封装方法包括： 在芯片的上表面设置有机可碳化基材，激光辐照该有机可碳化基材以发生碳化，在碳化过程中产生气体并逸出，形成具有孔隙且附着在所述芯片的上表面的多孔碳层，在所述多孔碳层的远离其自身边缘的位置区域上开设至少一个上下贯通的镂空区域； 将热界面材料设置于所述多孔碳层上，预热处理，使所述热界面材料能够流动以部分渗透至所述孔隙和所述镂空区域中，形成热界面材料与多孔碳层的组合体；其中，所述热界面材料为有机热界面材料或金属热界面材料；当所述热界面材料为有机热界面材料时，所述预热处理的温度在所述有机热界面材料的固化温度以下；当所述热界面材料为金属热界面材料时，所述预热处理的温度在所述金属热界面材料的熔点以下； 将散热盖部分贴装在所述组合体上。
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