陕西科技大学苏莹获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210999498.1，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用是由苏莹;翟配郴;丁利苹;娄瑞;尉国栋设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用，所述SiC纳米线核壳异质结材料包括核体和壳层，所述壳层均匀包覆于所述核体上；所述核体为碳化硅纳米线；所述壳层为石墨烯、碳、硅、银、硫和氮化硼中的任意一种；其制备方法为：将碳化硅纳米线与壳层原料混合后，在真空条件下，于500～1550℃下进行保温处理A，冷却后，获得碳化硅纳米线核壳异质结材料；所述壳层材料为聚苯乙烯、四氯化铵、氯化镍、硝酸银、碳酸银、硼烷铵和升华硫粉中的一种或多种。本发明方法无需制备前驱体，可一步烧制而成纳米线核壳异质结构，工艺简单便捷，有效降低工艺成本，有利于实现工业化大规模生产。
本发明授权一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC纳米线核壳异质结材料，其特征在于，包括核体和壳层，所述壳层均匀包覆于所述核体上； 所述核体为碳化硅纳米线； 所述壳层为石墨烯、碳、硅、银、硫和氮化硼中的任意一种； 所述壳层的包覆厚度为10～30nm； 所述碳化硅纳米线为掺杂有p型掺杂源的p型碳化硅纳米线，或掺杂有n型掺杂源的n型碳化硅纳米线； 所述p型掺杂源为硼，铝，硝酸铝，氯化铝和氯化硼中的任意一种或多种； 所述n型掺杂源为三聚氢胺，碳酸氢氨，硝酸氨，尿素，草酸，红磷和黑磷中的任意一种或多种； 所述SiC纳米线核壳异质结材料按照如下步骤制备： 将碳化硅纳米线与壳层原料混合后，在真空条件下，于500～1550℃的温度下进行保温处理A，冷却后，获得碳化硅纳米线核壳异质结材料。
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