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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211003500.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用是由苏莹;丁利苹;娄瑞;刘雪冰;翟配郴;尉国栋设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：将碳化硅纳米线在分散剂和导电溶质的作用下与溶剂A形成碳化硅纳米线的悬浮液；以碳化硅纳米线的悬浮液作为电泳沉积液，以衬底为阴极，经电泳沉积处理在衬底上沉积一层碳化硅纳米线薄膜A；采用等离子体射流对碳化硅纳米线薄膜A进行焊接处理，获得碳化硅纳米线薄膜B。本发明方法简单、成本低、效率高且安全易操作，对低维纳米结构具有一定的普适性，可在室温条件下，在不同衬底上制备薄膜，且制备的碳化硅纳米线薄膜均匀致密，能够用于制备SiC纳米光电器件。

本发明授权一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC纳米线网络功能薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，将碳化硅纳米线在分散剂和导电溶质的作用下，均匀分散于溶剂A中，获得碳化硅纳米线的悬浮液； 步骤2，以获得的碳化硅纳米线的悬浮液作为电泳沉积液，以衬底为阴极，于室温下进行电泳沉积处理，在衬底上沉积一层均匀且致密的碳化硅纳米线薄膜A； 步骤3，采用室温常压等离子体射流对碳化硅纳米线薄膜A进行焊接处理，将碳化硅纳米线薄膜A上交叉的纳米线焊接，获得碳化硅纳米线薄膜B； 所述焊接处理的工艺如下： 将碳化硅纳米线薄膜A置于室温常压等离子体射流下方，在二维平面内以5～20mms的速率移动碳化硅纳米线薄膜，焊接至碳化硅纳米线在许多不规则交联中连接起来； 将碳化硅纳米线薄膜B进行高温键合处理，获得纳米线间相互交联的碳化硅纳米线薄膜C，即获得所述SiC纳米线网络功能薄膜； 且所述高温键合的工艺为： 于500～1000℃的温度下，采用NH3等离子体对碳化硅纳米线薄膜B表面处理5～60min，随后在氩气保护下，于1000～1200℃的温度下恒温键合30～60min。

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