上海华力集成电路制造有限公司羌宇星获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利反溅射率的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210973982.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权反溅射率的测量方法是由羌宇星;陆文杰;杨奕设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本反溅射率的测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种反溅射率的测量方法，在晶圆上通过溅射工艺和反溅射工艺形成第一薄膜层，之后在反应腔中通入气体，在第一薄膜层上形成致密的第一保护层；在第一保护层上形成绝缘层；在绝缘层上，通过溅射工艺形成第二薄膜层，第一薄膜层和第二薄膜层包括相同的材料，之后在反应腔中通入气体，在第二薄膜层上形成致密的第二保护层；通过第一、二薄膜层的第一、二电阻，第一、二薄膜层的电阻率，以及形成第一薄膜层的时间计算得到反溅射率。本发明通过在薄膜淀积后通入气体形成一层保护层，使沉积的薄膜表面活性降低，减少表面氧化以及降低两次薄膜沉积的时间等干扰因素，优化PVD钽腔反溅射率的检测稳定性。
本发明授权反溅射率的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种反溅射率的测量方法，其特征在于，包括： 在晶圆上通过溅射工艺和反溅射工艺形成第一薄膜层，之后在反应腔中通入气体，在所述第一薄膜层上形成致密的第一保护层； 在所述第一保护层上形成绝缘层； 在所述绝缘层上，通过所述溅射工艺形成第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括相同的材料，之后在所述反应腔中通入所述气体，在所述第二薄膜层上形成致密的第二保护层； 通过所述第一、二薄膜层的第一、二电阻，所述第一、二薄膜层的电阻率，以及形成所述第一薄膜层的时间计算得到反溅射率。
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