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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利集成端面耦合器的硅基片上光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115296138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210928896.4，技术领域涉及：H01S5/0225；该发明授权集成端面耦合器的硅基片上光源是由杨正霞;周旭亮;杨文宇;王梦琦;潘教青设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成端面耦合器的硅基片上光源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成端面耦合器的硅基片上光源，包括倒脊型波导硅基激光器和端面耦合器。其中，倒脊型波导硅基激光器包括：衬底，衬底通过矩形槽形成位于衬底中段的梁，和位于衬底两端的第一平面和第二平面，第一平面设有连通沟槽；倒脊型波导微米线，倒脊型波导微米线设置在连通沟槽内，倒脊型波导微米线设置有波导层；介质填充层，覆盖倒脊型波导微米线；端面耦合器包括：硅波导，设置于第二平面和梁上，与倒脊型波导微米线对应设置；介质波导，覆盖于梁上，介质波导与倒脊型波导微米线相接触；电极，包括上电极和下电极，上电极设置于介质填充层上，并与倒脊型波导微米线接触，下电极与衬底接触。

本发明授权集成端面耦合器的硅基片上光源在权利要求书中公布了：1.一种集成端面耦合器的硅基片上光源，包括在同一个衬底上的倒脊型波导硅基激光器和端面耦合器； 所述倒脊型波导硅基激光器包括： 所述衬底，所述衬底通过矩形槽形成位于所述衬底中段的梁，和位于所述衬底两端的第一平面和第二平面，所述第一平面设有连通沟槽，所述衬底包括硅底层和掩埋氧化层，所述掩埋氧化层上形成覆盖所述梁的刻蚀结构，所述梁下方的硅底层刻蚀形成与所述矩形槽贯通的空腔，通过所述矩形槽与所述空腔形成作为所述梁的悬臂结构； 倒脊型波导微米线，所述倒脊型波导微米线设置在所述连通沟槽内； 介质填充层，覆盖所述倒脊型波导微米线； 所述端面耦合器包括： 硅波导，设置于所述第二平面和所述梁上，与所述倒脊型波导微米线对应设置，硅波导和倒脊型波导微米线的对准是通过一步光刻实现的； 介质波导，覆盖于所述梁上，所述梁与所述介质波导等宽，所述介质波导与所述倒脊型波导微米线相接触； 电极，包括上电极和下电极，所述上电极设置于所述介质填充层上，并与所述倒脊型波导微米线接触，所述下电极与所述衬底接触。

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