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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210922150.2，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法是由曹超;赵伟;甘泽标;徐辉;段宇豪;郭海君设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法，包括NMOS采样开关控制部分和PMOS采样开关控制部分，其中：NMOS采样开关控制部分包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管包括M3、M4、M5、M6、M7、M9、M10和M13，所述第一PMOS晶体管包括M1、M2、M8、M11和M12；本发明采用开关由NMOS晶体管和PMOS晶体管构成，减小了沟道电荷注入效应；在关键节点引入自举电容，减小MOS晶体管的宽长比，进而减小寄生电容。在高速采样频率下提升了自举开关的性能。

本发明授权一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于负电压自举电容的互补型自举开关，其特征在于，包括NMOS采样开关控制部分和PMOS采样开关控制部分，其中： NMOS采样开关控制部分包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管包括M3、M4、M5、M6、M7、M9、M10和M13，所述第一PMOS晶体管包括M1、M2、M8、M11和M12； 其中，M1、M8、M12的源极和M3的栅极分别接电源电压VDD，M4的漏极和M5、M13的源极分别接地VSS；M8、M9、M11、M12、M13的栅极分别接采样时钟CLK；M4、M5的栅极分别接采样时钟CLKB，M1的漏极接M2的源极，M2的漏极、M3的源极分别和M1、M6、M7的栅极连接，M3的漏极和M4的源极连接，M5的漏极和M6的源极连接，M6的漏极、M7的源极分别和输入信号VIN连接，M7的漏极和输出信号VOUT连接； PMOS采样开关控制部分包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管包括M16、M17、M18、M19、M20、M22、M23和M26，所述第二NMOS晶体管包括M14、M15、M21、M24和M25； 其中，M14、M21、M25的源极和M16的栅极分别接地VSS，M21、M22、M24、M25、M26的栅极分别接采样时钟CLKB，M14的漏极接M15的源极，M15的漏极、M16的源极分别和M14、M19、M20的栅极连接，M16的漏极和M17的源极连接，M5的漏极和M19的源极连接，M19的漏极、M20的源极分别和输入信号VIN连接，M20的漏极和输出信号VOUT连接。

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