南方科技大学李文华获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115201281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210830902.2，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器是由李文华;徐强设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器在说明书摘要公布了：本发明公开一种金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器，所述制备方法包括步骤：对提供的基底进行持续加热并保持在第一预设温度，将第一预定体积的金属有机框架前驱液转移到基底上，然后进行第一次煅烧，冷却后在基底上制备得到薄膜前体；对表面上含有薄膜前体的基底进行持续加热并保持在第一预设温度，将第二预定体积的金属有机框架前驱液转移到所述薄膜前体上，然后进行第二次煅烧，在所述基底上制备得到所述金属氧化物半导体多孔薄膜。本发明提供的制备方法制备过程简单、成膜质量好、高效且环境友好、成本低、可以实现连续的大面积生产。得到的薄膜中氧化物颗粒间的接触电阻小、具有优异的电子导电性及优异的气体传感性能。
本发明授权金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤： 将金属盐前驱体、有机配体加入到溶剂中，搅拌后，得到金属有机框架前驱液； 提供基底，对所述基底进行持续加热并保持在第一预设温度，取第一预定体积的金属有机框架前驱液并将所述第一预定体积的金属有机框架前驱液转移到所述基底上，然后进行第一次煅烧，冷却后在所述基底上制备得到薄膜前体； 对表面上含有薄膜前体的基底进行持续加热并保持在第一预设温度，取第二预定体积的金属有机框架前驱液并将所述第二预定体积的金属有机框架前驱液转移到所述薄膜前体上，然后进行第二次煅烧，在所述基底上制备得到所述金属氧化物半导体多孔薄膜； 所述第一预设温度为100～120℃； 所述第一次煅烧的温度为350～550℃，第一次煅烧的时间为0.5～1h，第一次煅烧的气氛为空气气氛或惰性气氛； 所述第二次煅烧的温度为350～550℃，第二次煅烧的时间为2～5h，第二次煅烧的气氛为空气气氛或惰性气氛。
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