深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种气流辅助喷墨打印在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116033813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210824826.4,技术领域涉及:H10K71/13;该发明授权一种气流辅助喷墨打印在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气流辅助喷墨打印在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种气流辅助喷墨打印在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法,其方法包括:配制钙钛矿前驱体墨水;采用喷墨打印将钙钛矿前驱体墨水打印在硅基片上,获得钙钛矿湿膜;采用气流辅助工艺将钙钛矿前驱体湿膜中的绝大部分溶剂均匀带走,获得所述钙钛矿预结晶膜;将所述钙钛矿预结晶干膜进行退火处理,获得钙钛矿薄膜。本工艺在硅片上采用高精密度的喷墨打印制备钙钛矿薄膜,使得钙钛矿在硅基片上形成致密、无缩孔的薄膜,与下层硅片形成良好的接触,气流辅助工艺能够将湿膜的溶剂缓慢带走,有效改善了喷墨打印造成的咖啡环效应。
本发明授权一种气流辅助喷墨打印在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法在权利要求书中公布了:1.一种气流辅助喷墨打印在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,包含以下步骤: a.将钙钛矿原料、载体溶剂、添加剂以及配体物充分混合得到钙钛矿前驱体墨水; b.将钙钛矿前驱体墨水通过喷墨打印工艺覆盖在硅基片上,获得钙钛矿湿膜; c.采用气流辅助工艺将钙钛矿湿膜中的绝大部分溶剂均匀带走,获得钙钛矿预结晶干膜; d.将所述钙钛矿预结晶干膜进行退火处理,获得钙钛矿薄膜; 其中步骤a中,所述钙钛矿前驱体墨水中的添加剂包括盐酸盐、溴酸盐、硫氰酸盐的至少一种,添加剂总量与钙钛矿原料中卤素阴离子的摩尔比范围为0.2:100~10:100; 其中步骤b中,所述钙钛矿前驱体墨水打印分辨率范围为100×100dpi-3000×3000dpi,打印喷嘴液滴量范围为1~30pl,喷射频率在10~100000Hz; 其中步骤c中,气流辅助工艺所提供的风速需要在0.2~20ms,气吹的出气速度的均匀性P≤5%,其中P=Vminmax-VarVar×100%,Vminmax:气吹工艺内最大或最小风速,Var:平均风速。
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