桂林电子科技大学秦文清获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种动态锁存比较器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115208364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210802671.4,技术领域涉及:H03K5/24;该发明授权一种动态锁存比较器是由秦文清;唐宁设计研发完成,并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种动态锁存比较器在说明书摘要公布了:本发明提供了一种动态锁存比较器,动态锁存器包括锁存器电路和标志信号产生电路,锁存器电路具体为双输入双输出的锁存器电路,动态锁存器还包括用于对锁存器电路的两个输出进行对应缓冲的第一电平判决电路和第二电平判决电路,还包括用于对标志信号产生电路的输出进行缓冲的第三电平判决电路。本发明解决了在量化过程中比较器输入失调电压过大的问题,提高了比较器的增益,降低了输入失调电压,且能够驱动较大的电流,降低了动态失调的影响。
本发明授权一种动态锁存比较器在权利要求书中公布了:1.一种动态锁存比较器,其特征在于,所述动态锁存比较器包括锁存器电路和标志信号产生电路,所述锁存器电路具体为双输入双输出的锁存器电路,所述动态锁存器还包括用于对所述锁存器电路的两个输出进行对应缓冲的第一电平判决电路和第二电平判决电路,还包括用于对所述标志信号产生电路的输出进行缓冲的第三电平判决电路; 所述锁存器电路的电源端、所述标志信号产生电路的电源端、所述第一电平判决电路的电源端、所述第二电平判决电路的电源端以及所述第三电平判决电路的电源端均连接在电源上,所述锁存器电路的接地端、所述标志信号产生电路的接地端、所述第一电平判决电路的接地端、所述第二电平判决电路的接地端以及所述第三电平判决电路的接地端均接地; 所述锁存器电路的两个输出端分别对应与所述第一电平判决电路的输入端以及所述第二电平判决电路的输入端连接,所述第一电平判决电路的输出端以及所述第二电平判决电路的输出端均与所述标志信号产生电路的输入端连接,所述标志信号产生电路的输出端与所述三电平判决电路的输入端连接; 所述第一电平判决电路包括第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管;其中,所述第九MOS管和所述第十一MOS管为NMOS管,所述第十MOS管和所述第十二MOS管为PMOS管;所述第十MOS管的源极以及所述第十二MOS管的源极均连接在电源上,所述第九MOS管的源极以及所述第十一MOS管的源极均接地,所述第九MOS管的栅极与所述第十MOS管的栅极相连并构成所述第一电平判决电路的输入端,所述第九MOS管的漏极、所述第十MOS管的漏极、所述第十一MOS管的栅极以及所述第十二MOS管的栅极相连在一起,所述第十一MOS管的漏极与所述第十二MOS管的漏极相连并构成所述第一电平判决电路的输出端; 所述第二电平判决电路包括第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管;其中,所述第十三MOS管和所述第十五MOS管为NMOS管,所述第十四MOS管和所述第十六MOS管为PMOS管;所述第十四MOS管的源极和所述第十六MOS管的源极均连接在电源上,所述第十三MOS管的源极和所述第十五MOS管的源极均接地,所述第十三MOS管的漏极、所述第十四MOS管的漏极、所述第十五MOS管的栅极以及所述第十六MOS管的栅极相连在一起,所述第十三MOS管的栅极和所述第十四MOS管的栅极相连并构成所述第二电平判决电路的输入端,所述第十五MOS管的漏极和所述第十六MOS管的漏极相连并构成所述第二电平判决电路的输出端。
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