华中科技大学李渊获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利二维大面积有机无机杂化钙钛矿及其制备、光电探测器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115275025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210772773.6,技术领域涉及:H10K71/12;该发明授权二维大面积有机无机杂化钙钛矿及其制备、光电探测器是由李渊;何小玉;翟天佑设计研发完成,并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维大面积有机无机杂化钙钛矿及其制备、光电探测器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种二维大面积有机无机杂化钙钛矿及其制备、光电探测器。所述制备方法包括下列步骤:1将卤化物前驱体粉末和表面钝化剂分别加热至不同温度,使表面钝化剂吸附于反应源的表面,从而钝化吸附表面钝化剂最多的表面;采用化学气相沉积法,在衬底上生长二维卤化物模板;2通过气相转化法,利用含有CH3NH3 +或CHNH22 +的有机盐进行杂化,将二维卤化物模板转化为有机无机杂化钙钛矿。本发明所制备的杂化钙钛矿尺寸大,单晶片面积最大可达到500微米,薄膜面积为1.5厘米×1.5厘米,质量高,均匀性好。包含本发明所制备的杂化钙钛矿的光电探测器性能优异,响应时间快,其响应时间小于10μs。
本发明授权二维大面积有机无机杂化钙钛矿及其制备、光电探测器在权利要求书中公布了:1.一种制备二维大面积有机无机杂化钙钛矿的方法,其特征在于,包括下列步骤: 1将卤化物前驱体粉末和表面钝化剂分别加热至不同温度,使表面钝化剂吸附于反应源的表面,从而钝化吸附表面钝化剂最多的表面;采用化学气相沉积法,在衬底上生长二维卤化物模板;所述表面钝化剂为RNH3X,RNH4,R2NH2X,R3NHX和R4NX中的一种,其中,R为碳原子数量4-18的烷基,X为Cl,Br或I; 2通过气相转化法,利用含有CH3NH3 +或CHNH22 +的有机盐进行杂化,将二维卤化物模板转化为有机无机杂化钙钛矿; 所述方法采用的装置包括管式炉1、加热套2、两端开口石英管3、仅一端开口石英管4、Al2O3瓷舟和石英U型槽; 所述管式炉1和加热套2依次设置于两端开口石英管3外壁上,用于对两端开口石英管3不同位置进行加热;在两端开口石英管3内部顺着保护气氛进入方向,依次间隔设置Al2O3瓷舟和和仅一端开口石英管4,并使得仅一端开口石英管4的开口端朝向Al2O3瓷舟的设置方向,且使得Al2O3瓷舟处于管式炉1的加热中心T1,仅一端开口石英管4上封闭端处于加热套2的加热中心T2,所述仅一端开口石英管4放置于石英U型槽中,衬底架设于该石英U型槽顶部; 所述Al2O3瓷舟中设置所述卤化物前驱体粉末,所述仅一端开口石英管4上封闭端设置所述表面钝化剂。
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