武汉光钜微电子有限公司廖珮淳获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光钜微电子有限公司申请的专利一种封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210729306.5，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权一种封装结构及其制造方法是由廖珮淳设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括：包裹在塑封层内相互键合的第一衬底和第二衬底；设置在所述第一衬底的第一表面上的第一器件和第一保护盖，所述第一保护盖与所述第一衬底之间形成第一空腔，所述第一器件位于所述第一空腔内；设置在所述第二衬底的第一表面上的第二器件；设置在所述第一衬底中与所述第一表面相对的第二表面和所述第二衬底中与所述第一表面相对的第二表面之间的键合结构，以使得所述第一衬底的第二表面与所述第二衬底的第二表面之间形成第三空腔；设置在所述第一衬底的第二表面上的第三器件，所述第三器件位于所述第三空腔内；设置在所述塑封层上的第二导热结构。
本发明授权一种封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括： 包裹在塑封层内相互键合的第一衬底和第二衬底； 设置在所述第一衬底的第一表面上的第一器件和第一保护盖，所述第一保护盖与所述第一衬底之间形成第一空腔，所述第一器件位于所述第一空腔内； 设置在所述第二衬底的第一表面上的第二器件； 设置在所述第一衬底中与所述第一表面相对的第二表面和所述第二衬底中与所述第一表面相对的第二表面之间的键合结构，以使得所述第一衬底的第二表面与所述第二衬底的第二表面之间形成第三空腔； 设置在所述第一衬底的第二表面上的第三器件，所述第三器件位于所述第三空腔内； 设置在所述塑封层上的第二导热结构，所述第二导热结构沿垂直于所述第一衬底的方向上的厚度与所述封装结构沿垂直于所述第一衬底的方向上的厚度之间的比例范围为0.01至0.5。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉光钜微电子有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼466室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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