上海华力集成电路制造有限公司张方方获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善接触孔过刻蚀的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000008B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210702727.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权改善接触孔过刻蚀的方法是由张方方;贺可强;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善接触孔过刻蚀的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善接触孔过刻蚀的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离上形成有第一、二半导体结构，浅沟槽隔离上形成有覆盖第一、二半导体结构的第一刻蚀停止层，第一刻蚀停止层上形成有层间介质层以及形成于层间介质层上的第二刻蚀停止层；通过光刻和刻蚀，形成贯通第一、二刻蚀停止层、层间介质层，且与第一半导体结构连通的第一接触孔；以及形成贯通第二刻蚀停止层、层间介质层，且不与第二半导体结构连通的第二接触孔；形成填充第一、二接触孔的保护层，回刻蚀保护层至第一接触孔与其下方的第二半导体结构连通。本发明能够避免刻蚀速率产生不同产生的过刻蚀，避免了器件缺陷的产生，提高了器件的良率。
本发明授权改善接触孔过刻蚀的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善接触孔过刻蚀的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离上形成有第一、二半导体结构，所述浅沟槽隔离上形成有覆盖所述第一、二半导体结构的第一刻蚀停止层，所述第一刻蚀停止层上形成有层间介质层以及形成于所述层间介质层上的第二刻蚀停止层，所述第一半导体结构处的用于形成接触孔的刻蚀速率大于所述第二半导体结构处的刻蚀速率； 步骤二、通过光刻和刻蚀，形成贯通所述第一、二刻蚀停止层、所述层间介质层，且与所述第一半导体结构连通的第一接触孔；以及 形成贯通所述第二刻蚀停止层、所述层间介质层，且不与所述第二半导体结构连通的第二接触孔； 步骤三、形成填充所述第一、二接触孔的保护层，回刻蚀所述保护层至所述第二接触孔与其下方的所述第二半导体结构连通； 步骤四、去除所述保护层，之后以导电材料填充所述第一、二接触孔，再研磨所述导电材料至所述层间介质层的上方。
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