厦门市三安集成电路有限公司刘波亭获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种高电子迁移率晶体管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210690986.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高电子迁移率晶体管制备方法是由刘波亭;时明明;陈利杰;刘志远;孙希国设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高电子迁移率晶体管制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种高电子迁移率晶体管制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：制备预制结构，预制结构包括衬底以及衬底上的异质结，异质结的第一表面具有多个V形坑；在预设气氛中退火，以扩大V形坑形成分布于异质结第一表面的多个凹坑，由于在异质结的第一表面形成了多个深浅不一的凹坑，故，在第一表面蒸镀栅极金属时，对应会使得栅极金属的底部填充于分布于栅极区域的多个深浅不一的凹坑内，由此，在同一栅极金属下不同区域距离二维电子气的距离不同，使得栅下不同区域具有不同的关断电压，从而实现跨导的平坦化，提高高电子迁移率晶体管的线性度。
本发明授权一种高电子迁移率晶体管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括： 制备预制结构，所述预制结构包括衬底以及形成于所述衬底上的异质结，所述异质结在背离所述衬底的第一表面具有与穿透位错对应的多个V形坑； 所述预制结构在预设气氛中退火，以扩大所述V形坑形成分布于所述异质结第一表面的多个凹坑； 在所述异质结的第一表面形成源极金属、漏极金属和栅极金属，其中，所述栅极金属填充于所述凹坑。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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