深圳市捷思特电子设备有限公司章红斌获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市捷思特电子设备有限公司申请的专利双管有源吸收反激电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114977826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210647104.6，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权双管有源吸收反激电路是由章红斌设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本双管有源吸收反激电路在说明书摘要公布了：本发明公开了双管有源吸收反激电路，包括C1电容、C2电容以及变压器，变压器设有初级绕组以及次级绕组，次级绕组的高低压端之间连接有C3电容，次级绕组的低压端连接有D3二极管，C2电容在靠近接地侧顺序连接有Q3三级管、Q4三级管，初级绕组在靠近电源输入端连接有Q2三级管，另一端则连接有Q1三级管，Q2三级管的漏极、初级绕组的低压端并联有D1二极管，Q3三级管的漏极和初级绕组的高压端并联有D2二极管。
本发明授权双管有源吸收反激电路在权利要求书中公布了：1.双管有源吸收反激电路，包括C1电容1、C2电容2以及变压器3，所述变压器3设有初级绕组以及次级绕组，所述次级绕组的高低压端之间连接有C3电容11，所述次级绕组的低压端连接有D3二极管10，其特征在于：所述C2电容2在靠近接地侧顺序连接有Q3三级管6、Q4三级管7，所述初级绕组在靠近电源输入端连接有Q2三级管5，另一端则连接有Q1三级管4，所述Q2三级管5的漏极、初级绕组的低压端并联有D1二极管8，所述D1二极管8的正极与初级绕组的低压端连接，所述Q3三级管6的漏极和初级绕组的高压端并联有D2二极管9，所述D2二极管9的正极与Q3三级管6的漏极连接，当所述Q1三级管4、Q2三级管5、Q3三级管6、Q4三级管7处于导通状态时，所述C1电容1与C2电容2并联并对变压器3的初级绕组充电，当所述Q1三级管4、Q2三级管5、Q3三级管6、Q4三级管7处于截止状态时，变压器3的初级绕组与D1二极管8、D2二极管9以及C2电容2形成充电回路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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