铁电存储器股份有限公司J·奥克获国家专利权
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龙图腾网获悉铁电存储器股份有限公司申请的专利存储器单元布置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210629992.9，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权存储器单元布置及其方法是由J·奥克设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元布置及其方法在说明书摘要公布了：各个方面涉及一种存储器单元布置，其包括：多个自发极化存储器单元；和控制电路，控制电路配置为通过写入操作引起一个或多个第一存储器单元的写入，其中写入操作包括：向多个自发极化存储器单元供应写入信号集合，以在一个或多个第一存储器单元中的每一者处提供写入电压降，从而切换相应的极化状态，写入信号集合在不打算被写入的一个或多个第二存储器单元处引起干扰电压降，其中干扰电压降引起对一个或多个第二存储器单元的干扰并保持相应的极化状态；并且其中控制电路还配置为向多个自发极化存储器单元供应反干扰信号集合，其中反干扰信号集合在一个或多个第二存储器单元处提供反干扰电压降，以至少部分地补偿由写入信号集合引起的干扰。
本发明授权存储器单元布置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括： 多个自发极化存储器单元；和 控制电路，所述控制电路配置为通过写入操作引起所述多个自发极化存储器单元中的一个或多个第一存储器单元的写入，其中所述写入操作包括： 向所述多个自发极化存储器单元供应写入信号集合，以在所述一个或多个第一存储器单元中的每一者处提供写入电压降，从而通过切换所述一个或多个第一存储器单元中的每一者的相应的极化状态来使所述一个或多个第一存储器单元中的每一者进入至少两种存储器状态中的一种存储器状态，所述写入信号集合在所述多个自发极化存储器单元中不打算被写入的一个或多个第二存储器单元处引起干扰电压降，其中所述干扰电压降引起对所述一个或多个第二存储器单元的干扰，并保持所述一个或多个第二存储器单元中的每一者的相应的极化状态；并且 其中所述控制电路还配置为向所述多个自发极化存储器单元供应反干扰信号集合，其中所述反干扰信号集合在所述一个或多个第二存储器单元处提供反干扰电压降，以至少部分地补偿由所述干扰电压降引起的所述干扰。
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