长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器、制备方法及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609905.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器、制备方法及存储系统是由张坤;吴林春;周文犀;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器、制备方法及存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维存储器、制备方法及存储系统，存储器包括：叠层结构包括多个阶梯台阶，每个阶梯台阶包括绝缘层和设置于绝缘层上的栅极层，栅极层包括在垂直于第一方向的平面中相邻分布的栅极导体层和栅极介质层，第一方向为叠层结构的堆叠方向；连接结构覆盖对应的阶梯台阶的栅极介质层的部分表面，并与栅极导体层在第二方向位于栅极介质层外侧的部分电连接，第二方向垂直于第一方向；字线接触沿第一方向至少延伸至连接结构的连接导通层，并通过连接结构与对应的栅极导体层电连接。字线接触位于栅极介质层的部分表面，并通过位于对应阶梯台阶的连接结构与对应的栅极导体层电连接，可避免不同的栅极层之间的字线桥接，提高三维存储器的可靠性。
本发明授权三维存储器、制备方法及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 叠层结构，包括多个阶梯台阶，每个所述阶梯台阶包括绝缘层和设置于所述绝缘层上的栅极层，其中所述栅极层包括在垂直于第一方向的平面中相邻分布的栅极导体层和栅极介质层，所述第一方向为所述叠层结构的堆叠方向； 连接结构，覆盖对应的所述阶梯台阶的所述栅极介质层的部分表面，并与所述栅极导体层在第二方向位于所述栅极介质层外侧的第一部分电连接，其中所述叠层结构在第三方向划分为台阶区和存储阵列区，所述台阶区包括多个所述阶梯台阶，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向彼此垂直；以及 字线接触，沿所述第一方向至少延伸至所述连接结构的连接导通层，并通过所述连接结构与对应的所述栅极导体层电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号