苏州聚谦半导体有限公司黄子伦获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州聚谦半导体有限公司申请的专利环状桶型电容及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115020384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210590714.7,技术领域涉及:H01L23/64;该发明授权环状桶型电容及其制备方法是由黄子伦设计研发完成,并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本环状桶型电容及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种环状桶型电容制备方法,包括在衬底上依次形成第一氮化硅层和硬阻挡层,依次刻蚀硬阻挡层、第一氮化硅层和衬底,以形成至少一个凹槽,在凹槽内形成至少一个槽状的第二氮化硅层,并在第二氮化硅层与凹槽之间的部分空间、第二氮化硅层槽内的部分空间填充外延材料,形成至少一层电容层以覆盖凹槽的内壁、第二氮化硅层的表面和硬阻挡层的顶面,所述电容层包括相接触的介质层和导电层,在硬阻挡层的顶面和暴露的电容层顶面形成层间介质层,形成第一金属导电柱,以形成环状桶型电容,电容层沿槽状的第二氮化硅层表面和凹槽的内壁设置,极大的增大了介质层和导电层的面积,进而增大了电容量。
本发明授权环状桶型电容及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种环状桶型电容制备方法,其特征在于,包括: 提供衬底; 在所述衬底上依次形成第一氮化硅层和硬阻挡层; 依次刻蚀所述硬阻挡层、所述第一氮化硅层和所述衬底,以形成至少一个凹槽; 在所述凹槽内形成至少一个槽状的第二氮化硅层,并在所述第二氮化硅层与所述凹槽之间的部分空间、所述第二氮化硅层槽内的部分空间填充外延材料; 形成至少一层电容层以覆盖所述凹槽的内壁、所述第二氮化硅层的表面和所述硬阻挡层的顶面,所述电容层包括相接触的介质层和导电层; 去除所述硬阻挡层顶面的所述电容层; 在所述硬阻挡层的顶面和暴露的电容层顶面形成层间介质层; 形成一端与所述导电层连接,且另一端延伸至所述层间介质层顶面的第一金属导电柱,以形成环状桶型电容; 所述在所述凹槽内形成至少一个槽状的第二氮化硅层,并在所述第二氮化硅层与所述凹槽之间的部分空间、所述第二氮化硅层槽内的部分空间填充外延材料,包括: 在所述凹槽的内表面和所述硬阻挡层的顶面形成第一层外延材料; 在第一层外延材料上交替形成至少一层第二氮化硅层和至少一层第二层外延材料; 去除位于所述凹槽外的第一层外延材料、第二层外延材料和所述第二氮化硅层,以形成至少一个槽状的第二氮化硅层; 刻蚀部分位于所述凹槽内的第一层外延材料和第二层外延材料。
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