买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种颜色可控单片LED及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210378193.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种颜色可控单片LED及其制备方法和应用是由李国强;雷蕾;姚书南;柴华卿;朱子赫设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种颜色可控单片LED及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种颜色可控单片LED及其制备方法和应用。本发明的颜色可控单片LED的组成包括衬底、金属键合层、第一绝缘层、反射镜金属层、第一p型GaN层、第一AlGaN电子阻挡层、第一InGaNGaN多量子阱层、n型GaN层、第二InGaNGaN多量子阱层、第二AlGaN电子阻挡层、第二p型GaN层、透明电流扩散层、第二绝缘层、第一p电极、n电极和第二p电极，第一和第二InGaNGaN多量子阱层均独立地为红光量子阱层、绿光量子阱层、蓝光量子阱层、黄光量子阱层中的一种。本发明的单片LED可以实现多色可控发光，色彩均匀性好，器件的质量高。

本发明授权一种颜色可控单片LED及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种颜色可控单片LED，其特征在于，组成包括依次层叠设置的衬底、金属键合层、第一绝缘层、反射镜金属层、第一p型GaN层、第一AlGaN电子阻挡层、第一InGaNGaN多量子阱层、n型GaN层、第二InGaNGaN多量子阱层、第二AlGaN电子阻挡层、第二p型GaN层、透明电流扩散层和第二绝缘层，还包括第一p电极、n电极和第二p电极；所述第一p电极与第一p型GaN层形成欧姆接触；所述n电极与n型GaN层形成欧姆接触；所述第二p电极与第二p型GaN层形成欧姆接触；所述第一InGaNGaN多量子阱层和第二InGaNGaN多量子阱层均独立地为红光量子阱层、绿光量子阱层、蓝光量子阱层、黄光量子阱层中的一种；所述第一绝缘层为SiO2层，厚度为100nm～2000nm；所述第二绝缘层为SiO2层，厚度为100nm～2000nm；所述透明电流扩散层为透明In氧化物导电薄膜、透明Sb氧化物导电薄膜、透明Zn氧化物导电薄膜、透明Sn氧化物导电薄膜中的一种，厚度为10nm～800nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510641 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。