华源智信半导体(深圳)有限公司郑俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华源智信半导体(深圳)有限公司申请的专利氮化镓开关器件及开关管及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110993591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910995497.8，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权氮化镓开关器件及开关管及电子设备是由郑俊杰;张程龙;李律设计研发完成，并于2019-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓开关器件及开关管及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓开关器件及开关管及电子设备。所述开关器件包括氮化镓晶体管和开关管；所述开关管与所述氮化镓晶体管连接以控制所述氮化镓晶体管；所述氮化镓开关器件还包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部；所述开关器件电流采样端用于采集所述开关器件的电流；所述接地部用于将所述氮化镓晶体管和所述开关管共同连接至地。所述开关管包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部；所述开关器件电流采样端用于采集所述开关管的电流；所述接地部用于将所述开关管连接至地。所述电子设备包括所述开关器件。本申请可提高电子设备的开关速度，提高可靠性以及减少外接电流采样电阻带来的功耗，可进一步提高效率。
本发明授权氮化镓开关器件及开关管及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓开关器件，其特征在于： 包括氮化镓晶体管和开关管，所述开关管为MOSFET晶体管； 所述开关管与所述氮化镓晶体管连接以控制所述氮化镓晶体管； 所述氮化镓开关器件还包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部； 所述开关器件电流采样端用于采集所述氮化镓开关器件的电流； 所述接地部用于将所述氮化镓晶体管和所述开关管共同连接至地； 所述接地部为接地基板； 所述氮化镓晶体管和所述开关管均置于所述接地基板上，所述氮化镓晶体管的门极位于衬底的底部，所述氮化镓晶体管的衬底底部及所述氮化镓晶体管的门极与所述接地基板连接，所述开关管的衬底与所述接地基板连接。
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