应用材料公司E·文卡塔苏布磊曼聂获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于图案化应用的高密度碳膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112740360B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980061362.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于图案化应用的高密度碳膜是由E·文卡塔苏布磊曼聂;S·E·戈特海姆;P·曼纳;A·B·玛里克设计研发完成，并于2019-10-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于图案化应用的高密度碳膜在说明书摘要公布了：本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中，提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中，所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板，其中将基板保持在约‑10℃至约20℃的温度和约0.5毫托至约10托的腔室压力；以及通过将第一RF偏压施加至静电吸盘来生成等离子体，以在基板上沉积含有约60％或更多的杂化sp3原子的类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以约1800瓦至约2200瓦的功率和约40MHz至约162MHz的频率提供。
本发明授权用于图案化应用的高密度碳膜在权利要求书中公布了：1.一种在基板上形成碳膜的方法，包括： 使含碳氢化合物的气体混合物流入具有定位在静电吸盘上的所述基板的工艺腔室中，所述静电吸盘包括设置在所述静电吸盘内的第一射频RF电极和第二RF电极，其中所述基板保持在-10℃至20℃的温度和0.5毫托至10托的腔室压力；以及 通过将第一RF偏压施加至所述静电吸盘的所述第一RF电极并将第二RF偏压施加至所述静电吸盘的所述第二RF电极来生成等离子体，以在所述基板上沉积含有60％或更多的杂化sp3原子的类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以1800瓦至2200瓦的功率和40MHz至162MHz的频率提供，并且所述第二RF偏压是以800瓦至1200瓦的功率和350KHz至13.56MHz的频率提供。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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