密歇根大学董事会刘先河获国家专利权
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龙图腾网获悉密歇根大学董事会申请的专利通过金属-半导体辅助外延提高超宽带隙半导体的掺杂效率获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112166488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980035103.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权通过金属-半导体辅助外延提高超宽带隙半导体的掺杂效率是由刘先河;A·潘迪;米泽田设计研发完成，并于2019-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过金属-半导体辅助外延提高超宽带隙半导体的掺杂效率在说明书摘要公布了：公开了一种超宽带隙氮化铝镓AIGaN的外延生长工艺，称为金属‑半导体结辅助外延。使用等离子体辅助分子束外延在富含金属例如，富含Ga的条件下进行AlGaN的外延。过量的Ga层在掺杂镁Mg的AlGaN外延期间导致金属‑半导体结的形成，这使费米能级远离生长前沿的价带。费米能级位置与掺镁元素解耦。也就是说，尽管掺入了p型掺杂剂，但是表面带弯曲仍允许近n型生长前沿的形成。通过在外延期间通过原位金属‑半导体结来控制费米能级的调节，可以为大带隙AIGaN实现有效的p型导通。
本发明授权通过金属-半导体辅助外延提高超宽带隙半导体的掺杂效率在权利要求书中公布了：1.一种制造器件的方法，所述方法包括： 使用分子束外延，将镁、铝、镓和氮作为镁掺杂的氮化铝镓外延层而沉积在衬底上方；以及 在所述分子束外延期间，在所述镁掺杂的氮化铝镓外延层的生长界面上形成镓液态金属层，其中所述镓液态金属层在整个形成过程中在所述镁掺杂的氮化铝镓外延层上是平滑且共形的，并且其中在减少形成补偿缺陷的同时，所述镓液态金属层将费米能级远离所述生长界面处的价带进行钉扎，从而增强了所述镁掺杂的氮化铝镓外延层中镁和铝的掺杂剂掺入。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人密歇根大学董事会，其通讯地址为：美国密歇根州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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