现代自动车株式会社;起亚株式会社周洛龙获国家专利权
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龙图腾网获悉现代自动车株式会社;起亚株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111138971.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件是由周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕设计研发完成，并于2016-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： n-型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上； 第一沟槽和第二沟槽，形成在所述n-型层中并且所述第一沟槽和第二沟槽彼此分离； n+型区，布置在所述第一沟槽的侧面与所述第二沟槽的侧面之间，并且所述n+型区布置在所述n-型层上； 栅极绝缘层，布置在所述第一沟槽内； 源极绝缘层，布置在所述第二沟槽内； 栅极，布置在所述栅极绝缘层上； 氧化层，布置在所述栅极上； 源极，布置在所述氧化层、所述n+型区及所述源极绝缘层上； 漏极，布置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上；以及 p型区，布置在所述第二沟槽的两个侧面上，并且所述p型区未存在于所述第二沟槽的下表面的下方， 其中，所述p型区布置在所述第二沟槽的侧面与所述n-型层之间， 其中，所述p型区包围所述第二沟槽的拐角并且在所述第二沟槽的所述拐角下方延伸， 其中，所述源极绝缘层的厚度薄于所述栅极绝缘层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代自动车株式会社;起亚株式会社，其通讯地址为：韩国首尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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