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龙图腾网获悉常州正宇光伏科技有限公司申请的专利一种基于正面选择性掺杂的双面TOPCon电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631181.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种基于正面选择性掺杂的双面TOPCon电池及其制备方法是由黄辉巍;杜庆晖;刘斌设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于正面选择性掺杂的双面TOPCon电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于正面选择性掺杂的双面TOPCon电池及其制备方法，电池包括N型硅片，硅片包括相对的正面和背面；正面分为接触区和非接触区，接触区由内到外依次为正面隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层、第一钝化层、正面电极；非接触区由内到外依次为硼扩散层、第二钝化层；第一钝化层包括由内到外依次设置的氧化铝层和氮化硅层，第二钝化层包括由内到外依次设置的氧化硅层、氧化铝层和氮化硅层；硅片的背面依次为背面隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、背面钝化层、背面电极。本发明非接触区采用“激光氧化硅+氧化铝+氮化硅”复合钝化结构，加权反射率控制在5%以内，实现了光学与电学性能的协同提升。

本发明授权一种基于正面选择性掺杂的双面TOPCon电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于正面选择性掺杂的双面TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1:N型硅片表面处理并双面制绒； S2:在完成绒面制备的硅片正面进行硼扩散； S3:对正面进行激光图形化，定义接触区与非接触区； S4:酸洗去除背面和四周绕扩，以及正面接触区的BSG； S5:对背面及正面接触区进行抛光，其中正面接触区抛光至硅片； S6:去除正面非接触区的BSG，并在非接触区上制备激光掩膜； S7:正面依次沉积SiOx、p-poly、mask氧化层； S8:酸洗去除背面及四周BSG，碱洗去除背面及四周SiOxp-poly绕镀； S9:背面依次沉积SiOx、n-poly、mask氧化层； S10:酸洗去除正面及四周的PSG，碱洗去除正面及四周SiOx-poly绕镀； S11:激光去除正面非接触区的BSG，碱洗去除正面非接触区域的p-poly沉积，酸洗去除正面及背面的BSG及PSG，并保留正面非接触区≥1nm厚度的氧化硅； S12：双面依次沉积氧化铝和氮化硅，并进行氢等离子体处理； S13：进行丝网印刷、烧结和测试分选； 得到的双面TOPCon电池包括N型硅片，所述硅片包括相对的正面和背面； 所述正面分为接触区和非接触区，所述接触区由内到外依次为正面隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层、第一钝化层、正面电极；所述非接触区由内到外依次为硼扩散层、第二钝化层； 所述第一钝化层包括由内到外依次设置的氧化铝层和氮化硅层，所述第二钝化层包括由内到外依次设置的氧化硅层、氧化铝层和氮化硅层； 所述硅片的背面依次为背面隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、背面钝化层、背面电极。

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