内蒙古领拓科技有限公司陈冰获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古领拓科技有限公司申请的专利一种高强度石墨烯薄膜的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120117595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510615705.2，技术领域涉及：C01B32/184；该发明授权一种高强度石墨烯薄膜的制备工艺是由陈冰;刘栋樑设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高强度石墨烯薄膜的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高强度石墨烯薄膜的制备工艺，本发明涉及改性石墨烯技术领域。该工艺通过创新设计实现薄膜性能的提升，主要步骤包括：采用铜镍合金单晶薄膜作为生长基底，经高温退火预处理优化晶格匹配；将氧化石墨烯分散液与硼氢化钠溶液混合还原，并调节pH增强效果；加入乙烯基三乙氧基硅烷进行改性，提升界面性能；利用聚酰亚胺支撑层和电化学剥离法无损转移薄膜；通过阶梯退火和等通道转角挤压优化结构。制备的石墨烯薄膜拉伸强度达158MPa，面内导热系数1520Wm·K，弯折次数1200次，展现出优异的机械强度、导热性和柔性，适用于柔性电子、航空航天及新能源领域。
本发明授权一种高强度石墨烯薄膜的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种高强度石墨烯薄膜的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，生长基底预处理：采用铜镍合金单晶薄膜作为生长基底，在氢气氩气混合气氛中，于800-1050℃下退火处理30-60min；步骤S2，氧化石墨烯还原：将浓度0.5-2wt%氧化石墨烯分散液与10wt%硼氢化钠溶液按质量比（3.24-6.72）：2混合，步骤S1中制备的铜镍合金单晶薄膜作为生长基底，在80-85℃下搅拌反应2-3h，随后用0.001molL稀盐酸调节pH至6；步骤S3，偶联剂改性：向步骤S2反应体系中逐滴加入5-15wt%乙烯基三乙氧基硅烷乙醇溶液，在60-80℃继续反应2-4h；步骤S4，薄膜转移：将步骤S3制备的改性石墨烯薄膜用聚酰亚胺支撑层转移，采用电化学剥离法实现无损转移；步骤S5，后处理：在氩气保护下进行阶梯式退火，最后采用等通道转角挤压工艺进行致密化处理。
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