合肥阿基米德电子科技有限公司周洋获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥阿基米德电子科技有限公司申请的专利一种IGBT芯片结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510614802.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种IGBT芯片结构及制作方法是由周洋;马坤;何竹来;韩黎明;周兴林;程永飞设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT芯片结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT芯片结构及制作方法，属于半导体器件技术领域，包括芯片主体、金刚石层和集电极金属层，金刚石层上刻蚀有中部密集、四周稀疏的多孔二维网络，多孔二维网络的通孔内设置有金属铝，金属铝与芯片主体、集电极金属层连接形成导电路径；本发明通过在芯片主体与集电极金属层之间增加具有多孔二维网络的金刚石层，利用金刚石的高热导率特性增强芯片散热能力。同时利用多孔二维网络的孔隙内金属铝实现背面金属与芯片主体的欧姆接触，满足IGBT芯片应用工况的电气连接需求，此外通过在制作方法中增加的金刚石沉积、刻蚀、改性等流程，与芯片背面工艺的配合，实现IGBT芯片结构的高效制备。
本发明授权一种IGBT芯片结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT芯片结构，其特征在于，包括芯片主体、设置在所述芯片主体背面的金刚石层以及设置在所述金刚石层背面的集电极金属层，所述金刚石层上刻蚀有中部密集、四周稀疏的多孔二维网络，所述多孔二维网络的内填充有金属铝，所述芯片主体和所述集电极金属层均与所述金属铝连接以形成导电路径，所述多孔二维网络中单个通孔的截面形状为规则的六边形，使多孔二维网络呈蜂窝状排布，中部密集、四周稀疏依靠多孔二维网络中单个通孔的孔径大小实现。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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