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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种蓝宝石氮化镓基红光外延片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510620775.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种蓝宝石氮化镓基红光外延片结构及其制备方法是由吴义针;汪连山;麻胜恒;孙文红;陈福鑫设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝宝石氮化镓基红光外延片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种蓝宝石氮化镓基红光外延片结构及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：依次叠层设置的图案化蓝宝石基底、GaN基底、n型AlGaN、InGaN量子阱、AlGaN电子阻挡层、p型GaN、ITO和第一电极；n型AlGaN上设置有第二电极；InGaN量子阱、AlGaN电子阻挡层、p型GaN和ITO组成红光增强结构；在第一电极与第二电极之间的红光增强结构的垂直方向上贯穿设置有多个基于光散射理论和量子限制斯塔克效应确定的圆形通孔；在第一电极和第二电极施加电压的情况下，产生的电子和空穴在InGaN量子阱内进行复合产生红光，有效提升红光外延片质量。

本发明授权一种蓝宝石氮化镓基红光外延片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝宝石氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，包括：图案化蓝宝石基底、GaN基底、n型AlGaN、InGaN量子阱、AlGaN电子阻挡层、p型GaN、ITO、第一电极和第二电极； 所述图案化蓝宝石基底、所述GaN基底、所述n型AlGaN、所述InGaN量子阱、所述AlGaN电子阻挡层、所述p型GaN、所述ITO和所述第一电极依次叠层设置； 所述n型AlGaN上设置有所述第二电极； 所述InGaN量子阱、所述AlGaN电子阻挡层、所述p型GaN和所述ITO组成红光增强结构； 在所述第一电极与所述第二电极之间的红光增强结构的垂直方向上贯穿设置有多个基于光散射理论和量子限制斯塔克效应确定的圆形通孔，其中，每个所述圆形通孔的孔径直径相等，相邻圆形通孔之间的间隔距离相等； 在所述第一电极和所述第二电极施加电压的情况下，产生的电子和空穴在所述InGaN量子阱内进行复合产生红光； 所述InGaN量子阱的厚度和In组分含量的确定方式具体为： ； 其中，x表示In组分含量，和分别表示和的带隙，表示红光波长的需求带隙，表示InGaN量子阱的厚度，表示InGaN量子阱的最小厚度，和分别表示InGaN量子阱的应力和载流子复合效率，和分别表示InGaN量子阱的最大应力阈值和最小载流子复合效率阈值，、和分别表示InGaN、GaN和InN的晶格常数，和分别表示与InGaN量子阱厚度相关的辐射复合寿命和非辐射复合寿命。

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