中南大学张理源获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种基于气液两相界面法制备二氧化硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120097356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510601202.X，技术领域涉及：C01B33/18；该发明授权一种基于气液两相界面法制备二氧化硅的方法是由张理源;赵也萩;覃牧川;柴立元;王庆伟;谢俊;赵飞平;颜旭;史美清;梁彦杰设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于气液两相界面法制备二氧化硅的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于气液两相界面法制备二氧化硅的方法，包括步骤：S1，提供醇水溶液；S2，向所述醇水溶液中混入添加剂，得反应液；所述添加剂包括碱料；S3，在所述惰性气体中负载四氯化硅气体，然后控制所述惰性气体向所述反应液内持续曝气；S4，停止向所述反应液内曝气，得终止液；S5，将所述终止液进行陈化，得陈化液；S6，将所述陈化液固液分离，得二氧化硅初品。本发明通过四氯化硅气液两相界面反应制备二氧化硅，利用气液界面原理克服四氯化硅水解速率快、危险性高等问题，制备得到了分散性、球化程度和纯度均较高、形貌可控且粒径分布均匀的二氧化硅。
本发明授权一种基于气液两相界面法制备二氧化硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于气液两相界面法制备二氧化硅的方法，其特征在于，包括步骤： S1，提供醇水溶液； S2，向所述醇水溶液中混入添加剂，得反应液；所述添加剂包括碱料，所述反应液的pH为10-13； S3，在第一惰性气体中负载四氯化硅气体，然后控制所述第一惰性气体向所述反应液内持续曝气； S4，当所述反应液的pH达6.5-8.2时，停止向所述反应液内曝气，得终止液； S5，将所述终止液进行陈化，得陈化液； S6，将所述陈化液固液分离，得二氧化硅初品。
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