合肥晶合集成电路股份有限公司朱海龙获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利导电插塞的制备方法、半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510603669.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权导电插塞的制备方法、半导体器件的制备方法及半导体器件是由朱海龙设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电插塞的制备方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种导电插塞的制备方法、半导体器件的制备方法及半导体器件。该制备方法包括如下步骤：提供待研磨基底，待研磨基底包括绝缘层、阻挡层和导电层，绝缘层中具有插塞孔，阻挡层设置于绝缘层的顶面上且延伸覆盖于插塞孔的孔壁，导电层设置于阻挡层上；对导电层进行第一研磨处理，第一研磨处理停止于阻挡层的表面；对第一研磨处理后的导电层进行第二研磨处理；对阻挡层和导电层进行第三研磨处理，第三研磨处理停止于绝缘层的表面；对绝缘层和导电层进行第四研磨处理。该制备方法能够使得导电层的减薄量更为可控，能够提高制备得到的导电插塞的质量，并进而使得器件具有更高的良率。
本发明授权导电插塞的制备方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种导电插塞的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供待研磨基底，所述待研磨基底包括绝缘层、阻挡层和导电层，所述绝缘层中具有插塞孔，所述阻挡层设置于所述绝缘层的顶面上且延伸覆盖于所述插塞孔的孔壁，所述导电层设置于所述阻挡层上； 对所述导电层进行第一研磨处理，所述第一研磨处理停止于所述阻挡层的表面； 对第一研磨处理后的导电层进行第二研磨处理； 对所述阻挡层和所述导电层进行第三研磨处理，所述第三研磨处理停止于所述绝缘层的表面； 对所述绝缘层和所述导电层进行第四研磨处理。
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