买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510578174.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;周海;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成埋层、P型源区、P型阱区、凸起部及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积设定的碳化硅材料，经过高温工艺，进行热扩散，形成保护层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；在保证器件耐漏极电压冲击的基础上降低器件导通电阻。

本发明授权耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有埋层以及凸起部；所述凸起部内设有保护层； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述漂移层上侧面； 肖特基金属层，所述肖特基金属层下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述肖特基金属层外侧面连接至所述P型源区内侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至漂移层上侧面，所述P型阱区外侧面连接至所述肖特基金属层内侧面，所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述P型阱区内设有N型源区； 绝缘介质区，所述绝缘介质区下侧面分别连接所述N型源区、P型阱区、漂移层以及保护层； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述绝缘介质区； 源极金属层，所述源极金属层下侧面分别连接所述N型源区、P型阱区、肖特基金属层以及P型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面； 所述绝缘介质区底部构建近半圆型的保护层；所述绝缘介质区为凸字形，所述绝缘介质区包括第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；在栅极金属层和P型阱区纵向部分为第一绝缘介质层，在P型保护层上方及非P型阱区上方区域设有第二绝缘介质层和第一绝缘介质层；在P型阱区外侧和P型源区中间构建了肖特基金属层； 在P型阱区下方和肖特基金属层下方构建了埋层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。