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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120082964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510570428.8，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统是由朱泓达;杨世林;李一村设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统在说明书摘要公布了：本发明涉及金刚石外延生长技术领域，且公开了一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统，包括数据采集模块、预测模块、智能优化模块、梯度场补偿模块以及反馈与调控模块；通过采用预测模型对未来趋势进行预判，能够提前感知潜在的生长异常例如某区域成核概率降低，使控制系统具有前瞻性，避免了事后被动补偿的滞后；强化学习控制器在策略优化过程中综合考虑累积效应和长远目标，使得偏压调控更加智能；智能决策能力远远优于人工经验或预设程序的调整方式，使生长过程对外界扰动如气流波动、放电状态变化等具备更强的鲁棒性；在整个生长过程中保持各区域晶核和生长速率的一致性，有利于抑制大尺寸薄膜中热应力和缺陷的累积。

本发明授权一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统在权利要求书中公布了：1.一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤S1：通过等离子发射光谱仪采集等离子体的特征光谱数据，通过热辐射传感器采集衬底表面热辐射数据，获取衬底状态的特征信息； 步骤S2：基于强化学习构建偏压调控模型，利用所述衬底状态的特征信息得到奖励函数，并根据奖励函数动态优化外延生长过程中衬底各区域的偏压输出； 步骤S3：采用双通道LSTM网络对特征光谱数据和衬底表面热辐射数据进行融合处理，实时预测衬底各局部区域的形核概率； 步骤S4：当检测到衬底边缘区域电子密度低于预设阈值时，自动生成非对称偏压波形，并对边缘区域施加补偿调节； 步骤S5：基于外延生长过程中的实时反馈信息，对偏压输出进行闭环调节； 所述步骤S3中双通道LSTM网络预测模型为双输入通道结构，第一通道输入等离子体的光谱强度序列，第二通道输入衬底温度序列；两个通道的隐含状态在网络中进行融合，以输出对应时间下各空间位置的形核概率估计值； 所述双通道LSTM网络预测模型的预测步骤为： 第一通道接收等离子体的特征光谱数据并提取光谱特征，以预测各局部区域形核概率初值； 第二通道接收衬底表面热辐射数据并提取温度特征，将其与光谱特征结合以优化预测精度，生成针对每个局部区域的形核概率预测值； 所述双通道LSTM网络预测模型的表达式为： ； 其中，表示预测得到的衬底位置处在时间步时的形核概率；表示LSTM网络输出函数，用于将输入的隶属序列映射为当前的预测输出；表示历史时间步数；为针对历史时间步的特征光谱数据权重系数；为针对历史时间步的热辐射数据权重系数；表示在位置处，时间步为时采集的特征光谱数据；表示在位置处，时间步为时采集的衬底表面热辐射数据；表示用于预测所考虑的历史时间步数； 所述步骤S4中的非对称偏压波形可用公式表示为： ； 其中，为在位置处，时间步为时的非对称偏压波形表示；表示在时间步为时施加于衬底中心区域的偏压值；表示补偿系数，取值范围为；表示时间步为时检测到的边缘区域电子密度的变化量；为位置补偿函数，用于根据边缘区域的具体位置动态调节补偿幅度。

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