合肥工业大学;浙江欧仁新材料有限公司刘平获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学;浙江欧仁新材料有限公司申请的专利基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120089462B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510559940.2，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜制备方法是由刘平;朱国强;张世玮;金子翔;田合雷;刘彩霞;张玉刚;汪中原;滕飞;刘健;杨晓明;李耀邦;夏厚君;黄英设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于导电薄膜领域，公开了基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜制备方法，具体为：对银纳米线AgNWs进行表面羟基化处理后，在硅烷偶联剂3‑（三甲氧基甲硅基）甲基丙烯酸丙酯TMSPMA的作用下，与PEDOT:PSS混合制得PEDOT:PSSAgNWs基液；将基液通过柠檬酸钠调节pH至近中性后，再与PEA乳液混合并旋涂成膜，最后通过超快激光处理提高导电性，从而获得基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜。本发明提供的导电薄膜具有高导电率（1200Scm）、良好的稳定性和优异的机械性能，适用于柔性电子器件和一定湿度环境下的稳定工作。
本发明授权基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜制备方法，其特征在于：对银纳米线AgNWs进行表面羟基化处理后，在硅烷偶联剂3-（三甲氧基甲硅基）甲基丙烯酸丙酯TMSPMA的作用下，与PEDOT:PSS混合制得PEDOT:PSSAgNWs基液；将所述基液通过柠檬酸钠调节pH后，再与PEA乳液混合并旋涂成膜，最后通过激光处理提高导电性，从而获得基于PEDOT:PSS和银纳米线的导电薄膜。
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