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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510551541.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法是由吴阳阳;郭飞;王宽;陈伟;成志杰;彭若诗;袁俊设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法，上述结构包括外延层，生长于衬底上；多级P型屏蔽区，沿竖直方向设于外延层中，且宽度尺寸沿竖直方向逐渐缩小；多级N型掺杂区，包裹设于多级P型屏蔽区的外壁侧；源极P+区和源极N+区，并排接触设于外延层中，且源极P+区与多级P型屏蔽区通过P‑well区电连接；源极，设于源极P+区和源极N+区的顶部；漏极，设于衬底的底部；栅极结构，贯穿源极P+区和源极N+区至外延层中，且与底部与多级P型屏蔽区接触；P型连接层，设于部分栅极结构的外壁侧，且底部与多级P型屏蔽区和多级N型掺杂区接触，用于实现多级P型屏蔽区的接地。该结构具有高功率密度、低功耗以及高耐压性能的效果。

本发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括： 外延层，生长于衬底上； 多级P型屏蔽区，沿竖直方向设于所述外延层中，且宽度尺寸沿竖直方向逐渐缩小； 多级N型掺杂区，包裹设于所述多级P型屏蔽区的外壁侧； 源极P+区和源极N+区，并排接触设于所述外延层中，且所述源极P+区与所述多级P型屏蔽区通过P-well区电连接； 源极，设于所述源极P+区和所述源极N+区的顶部； 漏极，设于所述衬底的底部；栅极结构，贯穿所述源极P+区和所述源极N+区至所述外延层中，且底部与所述多级P型屏蔽区接触； P型连接层，设于部分所述栅极结构的外壁侧，且底部与所述多级P型屏蔽区和所述多级N型掺杂区接触，用于实现所述多级P型屏蔽区的接地 所述多级P型屏蔽区包括第一级P型屏蔽区和第二级P型屏蔽区； 所述第一级P型屏蔽区与所述第二级P型屏蔽区沿竖直方向依次布设； 所述第一级P型屏蔽区和所述第二级P型屏蔽区之间存在第一交叠区域，所述第一交叠区域处的P型掺杂浓度高于非第一交叠区域； 所述多级N型掺杂区包括第一级N型掺杂区和第二级N型掺杂区； 所述第一级N型掺杂区和所述第二级N型掺杂区沿竖直方向依次布设，且分别与所述第一级P型屏蔽区和所述第二级P型屏蔽区对应包裹设置； 所述第一级N型掺杂区和所述第二级N型掺杂区之间存在第二交叠区域，所述第二交叠区域处的N型掺杂浓度高于非第二交叠区域。

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