陛通半导体设备(苏州)有限公司王良栋获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利横流式原子层沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120041808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510534135.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权横流式原子层沉积设备是由王良栋;陈金良;宋维聪设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本横流式原子层沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种横流式原子层沉积设备。设备包括外腔、内反应腔、横流进气装置、底部加热器及支撑夹具；横流进气装置位于内反应腔的一侧，且与内反应腔连通；内反应腔的底面部分向上凸起而形成凹槽，底部加热器至少部分位于凹槽内，且与内反应腔的底面贴合；支撑夹具包括两个夹持块，夹持块顶面的外侧的边缘处设置有向上延伸的台阶，夹持块的底部设置有水平延伸的支撑面，两个夹持块设置于底部加热器的相对两端，底部加热器的底部固定在两个夹持块底部的支撑面上；夹持块的台阶面与内反应腔的底面通过螺丝固定，夹持块顶面和内反应腔的底面之间具有间隙，该间隙通过夹持块顶面上的第一通孔与真空泵连通。本发明有助于提高薄膜沉积均匀性。
本发明授权横流式原子层沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种横流式原子层沉积设备，其特征在于，所述横流式原子层沉积设备包括外腔，以及位于所述外腔内部的内反应腔、横流进气装置、底部加热器及支撑夹具；所述横流进气装置位于所述内反应腔的一侧，且与所述内反应腔连通；所述内反应腔的底面部分向上凸起而在内反应腔的底面形成凹槽，所述凹槽对应待沉积基板的放置区域，所述底部加热器至少部分位于所述凹槽内，且与内反应腔的底面贴合；所述支撑夹具包括两个夹持块，夹持块顶面的外侧的边缘处设置有向上延伸的台阶，夹持块的底部设置有水平延伸的支撑面，两个夹持块设置于底部加热器的相对两端，底部加热器的底部固定在两个夹持块底部的支撑面上；夹持块的台阶面与内反应腔的底面通过螺丝固定，夹持块顶面和内反应腔的底面之间具有间隙，该间隙通过夹持块顶面上的第一通孔与真空泵连通。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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