杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利基于FinFET技术的MOSFET优化结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510527100.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权基于FinFET技术的MOSFET优化结构及其制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于FinFET技术的MOSFET优化结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了基于FinFET技术的MOSFET优化结构及其制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、源极、栅极，所述半导体外延层内部包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层以及P‑层，单个所述MOS元胞内N衬底层的截面轮廓呈中间凸起形状；单个所述MOS元胞内部左侧的P‑层内设有若干个条形多晶硅，所述条形多晶硅仅与源极欧姆接触。本发明通过左侧P‑层的条形多晶硅与右侧块状多晶硅仅与源极欧姆接触，形成低阻通路，减少寄生电阻，提高导通电流密度，并且通过该多晶硅的分布设计，降低器件内部的电场集中，减少热载流子效应提升可靠性。
本发明授权基于FinFET技术的MOSFET优化结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于FinFET技术的MOSFET优化结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，所述MOS元胞包括有漏极（1）、半导体外延层、源极（2）、栅极（3），所述半导体外延层内部从下向上依次包括有N衬底层（4）、N漂移层（5）、P阱层（7）和N阱层（6），所述半导体外延层内还包括P-层（8），所述P-层（8）位于单个MOS元胞的两侧且与P阱层（7）接触，其特征在于：单个所述MOS元胞内N衬底层（4）的截面轮廓呈中间凸起形状； 单个所述MOS元胞内部左侧的P-层（8）内设有若干个条形多晶硅（9），所述条形多晶硅（9）仅与源极（2）欧姆接触； 单个所述MOS元胞内部右侧的P-层（8）内设有一个块状多晶硅（10），所述块状多晶硅（10）仅与源极（2）欧姆接触。
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