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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510496596.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴永玉;高大为;苏婕设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底，包括第一区，与第一区环绕相连的第二区；在第一区依次形成堆叠的第一源极层、第一源沟层、第一沟道层和第一沟漏层；在第二区形成环绕覆盖第一源沟层、第一沟道层和第一沟漏层侧壁的第一栅介质层；形成环绕覆盖第一栅介质层的第一栅结构层；在第一沟漏层上依次形成堆叠的第一漏极层、牺牲层、第二源极层、第二源沟层、第二沟道层和第二沟漏层；在第二区内形成环绕覆盖第二源沟层、第二沟道层和第二沟漏层侧壁的第二栅介质层；形成环绕覆盖第二栅介质层的第二栅结构层；形成覆盖第二沟漏层的第二漏极层。采用上述形成方法，可以进一步提升半导体晶体管开态电流。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括第一区，与所述第一区环绕相连的第二区； 在所述第一区依次形成堆叠的第一源极层、第一源沟层、第一沟道层和第一沟漏层； 在所述第二区形成环绕覆盖所述第一源沟层、第一沟道层和第一沟漏层侧壁的第一栅介质层； 形成环绕覆盖所述第一栅介质层的第一栅结构层； 在所述第一沟漏层上依次形成堆叠的第一漏极层、牺牲层、第二源极层、第二源沟层、第二沟道层和第二沟漏层； 在所述基底上形成第三填充层； 在所述第二区内形成环绕覆盖所述第二源沟层、第二沟道层和第二沟漏层侧壁的第二栅介质层； 形成环绕覆盖所述第二栅介质层的第二栅结构层； 形成覆盖所述第二沟漏层的第二漏极层； 在所述基底上形成层间介质层； 形成贯穿所述层间介质层、第二漏极层、第二沟漏层、第二沟道层、第二源沟层、第二源极层、第三填充层、第一漏极层、第一沟漏层的第一沟道层插塞； 形成贯穿所述层间介质层、第二漏极层、第二沟漏层的第二沟道层插塞； 所述第一源沟层的材料包括：锗化硅，所述第一沟漏层的材料包括：锗化硅，所述第二源沟层的材料包括：碳化硅，所述第二沟漏层的材料包括：碳化硅。

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