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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种集成异质芯片组的扇出型双极化封装天线阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510479517.1，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权一种集成异质芯片组的扇出型双极化封装天线阵列是由李斌;敦书波;崔晓冬;雒寒阳;张海福设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成异质芯片组的扇出型双极化封装天线阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及封装天线阵列领域，具体公开了一种集成异质芯片组的扇出型双极化封装天线阵列。该封装天线阵列包括从上到下设置的三个封装体，内部集成了双极化天线阵列、馈电网络以及嵌设于封装体内部的异质芯片组，本发明实现了双极化天线阵列与异质射频前端芯片组高密度扇出型集成，具有更低的传输损耗和更高的集成度，不仅可以有效减小系统体积和成本，且具有装配工艺简单、一致性高和易于实现阵列规模的任意扩展等特点，可作为标准模块应用于大规模相控阵系统。

本发明授权一种集成异质芯片组的扇出型双极化封装天线阵列在权利要求书中公布了：1.一种集成异质芯片组的扇出型双极化封装天线阵列，其特征在于，包括从上到下设置第一封装体1、第二封装体2、第三封装体3和焊球阵列4； 所述第一封装体1和第二封装体2的一面相抵接并通过粘接材料连接； 所述第二封装体2的另一面和所述第三封装体3的一面相抵接并通过粘接材料连接； 所述第三封装体3的另一面设置焊球阵列4进行射频信号、控制信号的传输和供电； 所述第一封装体1由第一布线层11和第一介质层12构成；所述第一布线层（11）位于第一介质层（12）的上表面； 所述第一布线层11设置有呈阵列间隔排布的N个天线辐射贴片101，N为2×2或4×4； 所述第二封装体2由第二布线层21和第二介质层22构成；所述第二布线层（21）位于第二介质层（22）和第一封装体（1）之间； 所述第二布线层21设置有呈阵列间隔排布的多个寄生辐射贴片（201）；所述寄生辐射贴片（201）与天线辐射贴片（101）一一对应，寄生辐射贴片201分别位于对应天线辐射贴片101的正下方； 所述第三封装体3由第三布线层31、第三介质层32和第四布线层33构成；所述第三介质层（32）位于第三布线层（31）和第四布线层（33）之间，其中第三布线层（31）与第二封装体（2）接触，第四布线层（33）和焊球阵列4相接触； 所述第三布线层31设置有2N个开槽结构301用作天线耦合缝隙； 所述第四布线层33设置有2N个天线馈线401； 所述第三介质层32内部封装了由一个硅基CMOS芯片501、2N个化合物芯片502和若干TMV芯片503构成的异质芯片组。

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