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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510474000.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;唐宇坤;谢炜设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体；半导体本体还包括阱区、第一区域、第一绝缘层和第二绝缘层，第一区域设置于第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧，第一绝缘层设置于阱区远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽；位于栅极沟槽内的栅极；位于栅极远离半导体本体一侧的层间介质层，层间介质层在第一表面的垂直投影覆盖栅极在第一表面的垂直投影；位于第一表面的源极；位于第二表面的漏极。本发明可以有效提高半导体器件的耐压能力。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一导电类型的半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括设置为第二导电类型的阱区、设置为第一导电类型的第一区域、第一绝缘层和第三绝缘层，所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧，所述第一绝缘层设置于所述阱区远离所述第一表面的一侧，所述第三绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述第一表面的一侧，所述第三绝缘层与所述第一绝缘层连接，且所述第三绝缘层在所述第一表面的垂直投影在所述第一绝缘层在所述第一表面的垂直投影之内； 在所述第一表面形成栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中，所述栅极沟槽的底部与所述第一绝缘层接触；所述栅极沟槽在所述第一表面的垂直投影在所述第一绝缘层在所述第一表面的垂直投影之内； 在所述栅极沟槽的侧壁形成第二绝缘层； 在所述栅极沟槽内且在所述第二绝缘层远离所述半导体本体的一侧形成栅极； 在所述栅极远离所述半导体本体的一侧形成层间介质层；所述层间介质层在所述第一表面的垂直投影覆盖所述栅极在所述第一表面的垂直投影； 在所述第一表面形成源极； 在所述第二表面形成漏极； 所述半导体本体包括衬底和位于衬底一侧的外延层，在外延层内注入氧离子形成第一氧离子区，在所述第一氧离子区靠近所述衬底的一侧注入氧离子形成第二氧离子区，对所述外延层进行热氧化处理，以将所述第一氧离子区热氧化成所述第一绝缘层，将所述第二氧离子区热氧化成所述第三绝缘层。

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