湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种集成芯片结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510470967.4，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种集成芯片结构及其制作方法是由袁俊;陈伟;彭若诗;吴阳阳;王宽;郭飞;成志杰;徐少东;朱厉阳;李明哲设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成芯片结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成芯片结构及其制作方法，上述结构包括复合外延结构、高压器件区、低压器件区和BJT区；高压器件区、低压器件区和BJT区相互隔绝设于复合外延结构的上部区域中；高压器件区用于形成高压器件，低压器件区用于形成低压器件，BJT区用于形成双极结型晶体管；复合外延结构包括沿第二方向叠加布设的底层、SiC隔离层和器件制备层；SiC隔离层键合设于底层上，SiC隔离层与底层之间形成有键合界面层；器件制备层外延设于SiC隔离层上，用于制作高压器件区、低压器件区和BJT区。利用该复合外延结构得到的晶圆尺寸能够做到12英寸，远大于目前主流的4H‑SiC晶圆的尺寸，从而降低整体的工艺成本，键合SiC隔离层能有效杜绝电流和电压串扰的发生。
本发明授权一种集成芯片结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片结构，其特征在于，包括：复合外延结构、层间介质层、高压器件区、低压器件区和BJT区； 所述层间介质层设于所述复合外延结构的上表面； 所述高压器件区、所述低压器件区和所述BJT区相互隔绝设于所述复合外延结构的上部区域和所述层间介质层中； 所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件，所述BJT区用于形成双极结型晶体管； 其中，所述复合外延结构包括沿竖直方向依次叠加布设的底层、SiC隔离层和器件制备层；所述SiC隔离层键合设于所述底层上，所述SiC隔离层与所述底层之间形成有键合界面层；所述器件制备层外延设于所述SiC隔离层上，用于制作所述高压器件区、所述低压器件区和所述BJT区；所述器件制备层为3C-SiC或4H-SiC外延层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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