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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458091.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体器件的制作方法是由郭廷晃;胡迎宾;郭哲邵;王涛涛设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，建立了半导体器件的不同电学参数之间在栅极结构的水平方向上的宽度下与半导体制程工艺的工艺参数的函数关系，确定半导体器件的待执行的半导体制程工艺的工艺参数补偿值，即针对栅极结构的实际宽度，通过利用对包含该栅极结构的实际宽度的半导体器件所待执行的目标半导体制程工艺的工艺参数进行补偿，实现对受制程工艺影响而导致栅极结构的实际宽度与初始设定宽度所产生的波动进行自动补偿，亦实现了半导体器件的沟道长度自动补偿的量产。

本发明授权一种半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 预先建立所述半导体器件的多个电学参数之间在不同栅极结构的水平方向上的宽度下与目标半导体制程工艺的工艺参数的关联性； 提供至少形成有一个栅极结构的基底； 量测所述栅极结构在水平方向上的实际宽度，并基于所述关联性，确定在所述栅极结构的所述实际宽度下，所述半导体器件的所述电学参数在目标取值时所对应的所述目标半导体制程工艺的工艺参数的补偿值，所述补偿值为所述工艺参数的初始设定值与目标值之差； 对所述基底和或所述栅极结构执行所述目标半导体制程工艺； 其中，所述目标半导体制程工艺包括侧墙工艺和离子掺杂工艺，所述侧墙工艺的工艺参数包括侧墙在所述水平方向上的厚度，所述离子掺杂工艺包括口袋掺杂和或漏极轻掺杂，所述离子掺杂工艺的工艺参数包括掺杂离子的注入剂量和或注入深度； 所述半导体器件的多个电学参数之间在不同栅极结构的水平方向上的宽度下与目标半导体制程工艺的工艺参数的关联性包含：在不同所述栅极结构的水平方向上的宽度下，导通电流参数随所述侧墙工艺的所述厚度的逐渐增大而与开启电压参数呈反比关系，并与漏源截止电流参数呈正比关系；以及， 所述半导体器件的多个电学参数之间在不同栅极结构的水平方向上的宽度下与目标半导体制程工艺的工艺参数的关联性包含：在不同所述栅极结构的水平方向上的宽度下，所述导通电流参数随所述离子掺杂工艺的所述注入剂量的逐渐减小或所述注入深度的逐渐增大而与所述漏源截止电流参数呈正比关系，并与所述开启电压参数呈反比关系。

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