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龙图腾网获悉杭州元芯半导体科技有限公司申请的专利基于氮化镓功率管的电流采样电路和电流采样方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119959607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510452155.7，技术领域涉及：G01R19/32；该发明授权基于氮化镓功率管的电流采样电路和电流采样方法是由林剑龙;丁欣蓓设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氮化镓功率管的电流采样电路和电流采样方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于氮化镓功率管的电流采样电路和电流采样方法，属于电路技术领域。电流采样电路中的温度补偿模块能保证在不同温度范围内，硅采样管与上管下管的导通电阻比例保持一致；上管导通时，第一温度补偿模块控制第一负反馈模块产生与采样电流成比例的正向电流或负向电流，第一电流镜像模块将正向电流或负向电流输出至采样模块，采样模块根据正向电流或负向电流计算上管的采样电流；下管导通时，第二温度补偿模块控制第二负反馈模块产生与采样电流成比例的正向电流或负向电流，第二电流镜像模块将正向电流或负向电流输出至采样模块，采样模块根据正向电流或负向电流计算下管的采样电流。本申请能进行温度补偿，能实现双向电流采样。

本发明授权基于氮化镓功率管的电流采样电路和电流采样方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化镓功率管的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路包括上管采样电路和下管采样电路，所述上管采样电路用于对高压开关电源中的上管进行电流采样，所述下管采样电路用于对高压开关电源中的下管进行电流采样，所述上管和所述下管为氮化镓功率管； 所述上管采样电路包括依次相连的第一温度补偿模块、第一负反馈模块、第一电流镜像模块和采样模块；所述第一温度补偿模块包括相连的第一硅采样上管和第一上采样管电阻补偿阵列，以及，相连的第一硅采样下管和第一下采样管电阻补偿阵列，所述第一上采样管电阻补偿阵列和所述第一下采样管电阻补偿阵列为负温度系数和或正温度系数的电阻阵列，且所述第一上采样管电阻补偿阵列和所述第一下采样管电阻补偿阵列分别与所述上管相连，以保证在不同温度范围内，所述第一硅采样上管与所述上管的导通电阻比例保持一致，所述第一硅采样下管与所述上管的导通电阻比例保持一致； 当所述上管导通时，所述第一温度补偿模块用于通过所述第一负反馈模块使得所述第一硅采样下管和所述第一下采样管电阻补偿阵列流过与所述上管的采样电流成比例的正向电流，或者，通过所述第一负反馈模块使得所述第一硅采样上管和所述第一上采样管电阻补偿阵列流过与所述上管的采样电流成比例的负向电流；所述第一电流镜像模块用于将所述正向电流或所述负向电流镜像输出至所述采样模块中的采样电阻；所述采样模块用于根据所述正向电流或所述负向电流计算所述上管的采样电流； 所述下管采样电路包括依次相连的第二温度补偿模块、第二负反馈模块、第二电流镜像模块和采样模块；所述第二温度补偿模块包括相连的第二硅采样上管和第二上采样管电阻补偿阵列，以及，相连的第二硅采样下管和第二下采样管电阻补偿阵列，所述第二上采样管电阻补偿阵列和所述第二下采样管电阻补偿阵列为负温度系数和或正温度系数的电阻阵列，且所述第二上采样管电阻补偿阵列和所述第二下采样管电阻补偿阵列分别与所述下管相连，以保证在不同温度范围内，所述第二硅采样上管与所述下管的导通电阻比例保持一致，所述第二硅采样下管与所述下管的导通电阻比例保持一致； 当所述下管导通时，所述第二温度补偿模块用于通过所述第二负反馈模块使得所述第二硅采样下管和所述第二下采样管电阻补偿阵列流过与所述下管的采样电流成比例的正向电流，或者，通过所述第二负反馈模块使得所述第二硅采样上管和所述第二上采样管电阻补偿阵列流过与所述下管的采样电流成比例的负向电流；所述第二电流镜像模块用于将所述正向电流或所述负向电流镜像输出至所述采样模块中的采样电阻；所述采样模块用于根据所述正向电流或所述负向电流计算所述下管的采样电流。

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