晶科能源(海宁)有限公司郭金鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510451719.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池是由郭金鑫;金维剑;杨潇;苗劲飞;周静设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。太阳能电池包括基底层，基底层具有相对设置的第一面和第二面，第一面具有第一区域和第二区域，制备方法包括：在第一面形成掺杂多晶硅层；采用不同功率的激光工艺去除位于第一区域的掺杂多晶硅层，沿基底层的中心向外周边缘的方向，随掺杂多晶硅层的厚度逐渐增厚，激光工艺的功率逐渐增大。本申请根据掺杂多晶硅层的不同区域的厚度，设定对应的激光功率，避免使用较大的功率去除中间较薄区域的掺杂多晶硅层，对太阳能电池的中间区域造成损伤，实现在保证掺杂多晶硅层去除的情况下，提高开路电压，提高效率，提高激光器的使用寿命，减小激光处理过程中硅片的碎片率。
本发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池（1）包括基底层（11），所述基底层（11）具有相对设置的第一面（11a）和第二面（11b），所述第一面（11a）具有第一区域（11a1）和第二区域（11a2），所述制备方法包括： 在所述第一面（11a）形成掺杂多晶硅层（13）； 采用不同功率的激光工艺处理位于所述第一区域（11a1）的所述掺杂多晶硅层（13），且沿所述基底层（11）的中心向外周边缘的方向，将所述第一区域（11a1）的所述掺杂多晶硅层（13）以上升预设厚度为一个梯度划分厚度区间，随各所述厚度区间的所述掺杂多晶硅层（13）的厚度逐渐增厚，所述激光工艺的功率逐渐增大。
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