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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510436705.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏是由张雪;李美玲;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏，涉及LED制造领域。制备方法包括：刻蚀外延片形成导电台阶；形成第一光刻胶层、第二光刻胶层；形成光刻胶开口；蒸镀反射层、焊线层；去除第一光刻胶层、第二光刻胶层；形成钝化层并开孔。光刻胶开口包括第一开口和第二开口，第一开口的横截面的侧壁包括第一直线段；第二开口的横截面的侧壁包括第二直线段；第一直线段、第二直线段与外延片的表面的夹角为α1、α2，α2‑α1≥65°；反射层的侧壁、焊线层的侧壁与外延片的表面的夹角为β1、β2；β2‑β1≥60°。焊线层的侧壁与反射层的侧壁之间的距离≥2μm；实施本发明，可提升LED芯片的耐高温性能，提升其可靠性。

本发明授权耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏在权利要求书中公布了：1.一种耐高温LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供外延片；其中，所述外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层； S2、对外延片进行刻蚀形成导电台阶； S3、在步骤S2得到的外延片上形成第一光刻胶层； S4、在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层； S5、对步骤S4得到的外延片进行曝光显影，去除预设区域的第一光刻胶层和第二光刻胶层，形成光刻胶开口；所述光刻胶开口包括由下至上依次设置的第一开口和第二开口，所述第一开口的横截面的侧壁至少包括一第一弧形段和一与之相连的第一直线段；所述第二开口的横截面的侧壁至少包括一第二弧形段和一与之相连的第二直线段；所述第一直线段与所述外延片的表面的夹角为α1，所述第二直线段与所述外延片的表面的夹角为α2，α2-α1≥65°； S6、在步骤S5得到的外延片上蒸镀，在所述第二光刻胶层上以及所述光刻胶开口内形成反射层；所述反射层包括反射子层以及包覆所述反射子层的保护层；位于所述光刻胶开口内的反射层的侧壁与所述外延片的表面的夹角为β1； S7、在步骤S6得到的外延片上蒸镀，在所述反射层上形成焊线层；位于光刻胶开口内的焊线层的侧壁与所述外延片的表面的夹角为β2，β2-β1≥60°；且位于所述光刻胶开口内的焊线层的侧壁与位于所述光刻胶开口内的反射层的侧壁之间具有预设距离L，L≥2μm； S8、去除所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层以及其上方的所述反射层和所述焊线层； S9、在步骤S8得到的外延片上形成钝化层，并在焊线层的上方形成焊线孔，即得到耐高温LED芯片成品。

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