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龙图腾网获悉同享(苏州)电子材料科技股份有限公司申请的专利一种高导铜包铝扁线制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429745.8，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种高导铜包铝扁线制造方法是由陆利斌;宋建源;胡达官设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高导铜包铝扁线制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高导铜包铝扁线制造方法，涉及电金属扁线技术领域。本发明先利用飞秒激光对金属铝表面改性技术，通过非热熔化‑凝固生成超洁净非晶层，大幅降低后续冷压焊的扩散激活能。其次，利用飞秒激光处理时诱导铝表面生成微纳多孔结构，随后在铝表面以纳米铜颗粒气体沉积铜层，通金属铝的微米凹坑与纳米铜气体沉积渗入孔隙线形成“倒钩”结构，实现铜铝原子级互扩散。最后在冷压焊过程中施加横向强磁场，诱导铜晶粒沿晶面择优取向；然后经过冷压处理制备得到铜包铝扁线，致密成型与表面抛光能够最大化导电截面的有效利用，避免高温导致的晶粒长大，保留细晶组织，提升材料强度。本发明制备的铜包铝扁线具有高强度、高导电性的效果。

本发明授权一种高导铜包铝扁线制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高导铜包铝扁线的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤： （1）利用飞秒激光器，在氩气保护下以2-3Jcm²的能量密度对直径为3.0-5.0mm的高纯铝棒表面辐照，通过电子瞬时激发与超快冷却，冷却速率为1012-1013Ks，在高纯铝棒表面生成50-100nm厚超洁净非晶层，随后将能量密度提升至3-5Jcm2，采用螺旋扫描路径，形成直径2-5μm的微米凹坑及50-200nm的边缘纳米线交织的多孔结构，制得飞秒激光预处理高纯铝棒； （2）先通过160-200W的氩等离子体清洗预处理高纯铝棒3-5min，去除亚表层杂质，将清洗后的高纯铝棒进行原位真空预热，真空度为0.5MPa，温度为150℃，时间为1h，除去水汽；通过PVD沉积，沉积至10-20μm铜层；然后运用热壁型ALD系统，配备铜前驱体输运模块进行ALD沉积铜层，通过调节铜铝循环比例，实现成分梯度；在150-250℃下进行沉积，前驱体脉冲时间为0.1-1s的铜铝前驱体和0.5-2s的氢气脉冲；利用高纯氩气进行吹扫，时间为10-20s；形成3-5μm厚的梯度过渡层，制得梯度高纯铝棒； （3）将铜片与梯度高纯铝棒经一组孔型辊冷弯成中间带铝芯的铜套管，用60-600mmin的速度、10-20％的道次减径率进行多道次拉拔加工，制备直径为0.3-3.0mm的圆细线，在1-2T横向磁场下通过液压施加80-120MPa压力，保压时间为10-20s，氮气氛围防止氧化，通过冷压焊制得铜包铝线；最后利用四辊精密轧机冷压，再低温退火，制得高导铜包铝扁线。

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